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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上方形成一阻拦层；在所述阻拦层上方形成一牺牲层；利用光刻工艺在所述牺牲层上方形成一开口图案；以所述阻拦层为刻蚀停止层，根据所述开口图案刻蚀所述牺牲层，形成第一沟槽；在所述第一沟槽中填充介质层材料；以所述阻拦层为刻蚀停止层，刻蚀所述牺牲层，形成第二沟槽；在所述第二沟槽中填充硬掩膜层材料；以所述阻拦层为刻蚀停止层，刻蚀所述介质层材料，形成硬掩膜层。本发明有利于减少半导体结构的刻蚀缺陷。
主权项：1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上方形成一阻拦层；在所述阻拦层上方形成一牺牲层；利用光刻工艺在所述牺牲层上方形成一开口图案；以所述阻拦层为刻蚀停止层，根据所述开口图案刻蚀所述牺牲层，形成第一沟槽；在所述第一沟槽中填充介质层材料，所述介质层材料完全填充满所述第一沟槽；以所述阻拦层为刻蚀停止层，刻蚀所述牺牲层，形成第二沟槽；在所述第二沟槽中填充硬掩膜层材料，所述硬掩膜层材料完全填充满所述第二沟槽；以所述阻拦层为刻蚀停止层，刻蚀所述介质层材料，形成硬掩膜层。
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权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构制作方法
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