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一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版加工方法 

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申请/专利权人:浙江众凌科技有限公司

摘要:本发明公开了一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版加工方法,它涉及半导体技术领域。包括对低硫、低硒的高纯铁99.9%Fe、高纯镍99.99%Ni原材料采用VIM+PESR或者VIM+PESR+VAR熔炼工艺;所述的VIM工艺:熔炼真空度<5Pa,精炼结束时真空度<0.2Pa;VIM铸锭氧含量O%≤18ppm;所述的PESR工艺:氩气保护气氛;填充比0.5‑0.8;电流kA9‑14.5;电压V55‑60;电渣渣料CaF2%:Al2O3%:CaO%=50%‑70%:10%‑20%:10%‑20%;PESR铸锭氧含量O%≤15ppm;所述的VAR工艺:熔炼真空度<0.3Pa;填充比0.6‑0.9;熔速<5kgmin;氦气冷却;VAR铸锭氧含量O%≤10ppm。本发明加工工艺设计合理,通过控制配料、熔炼工艺控制invar的化学成分,使得夹层链状夹杂物造成破孔相关不良率为0%。

主权项:1.一种用于OLED像素沉积的金属掩膜版的加工方法,包括对低硫、低硒的高纯铁99.9%Fe、高纯镍99.99%Ni原材料采用VIM+PESR或者VIM+PESR+VAR熔炼工艺;所述的VIM工艺:熔炼真空度<5Pa,精炼结束时真空度<0.2Pa;VIM铸锭氧含量O%≤18ppm;所述的PESR工艺:氩气保护气氛;填充比0.5-0.8;电流kA9-14.5;电压V55-60;电渣渣料CaF2%:Al2O3%:CaO%=50%-70%:10%-20%:10%-20%;PESR铸锭氧含量O%≤15ppm;所述的VAR工艺:熔炼真空度<0.3Pa;填充比0.6-0.9;熔速<5kgmin;氦气冷却;VAR铸锭氧含量O%≤10ppm。

全文数据:

权利要求:

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