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申请/专利权人:株式会社国际电气
摘要:本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。提供能提高形成在衬底上的膜的阶梯覆盖率的技术。通过将包括下述a、b、c的循环执行规定次数,从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜:a通过对衬底供给包含规定元素及卤元素的第1原料,从而在前述衬底上形成由前述卤元素封端的包含前述规定元素的第1层的工序;b通过对形成有前述第1层的前述衬底供给在1分子中包含前述规定元素、及与前述规定元素键合的唯一的氨基的第2原料,从而在前述衬底上形成包含前述规定元素的第2层的工序;和c通过对形成有前述第2层的前述衬底供给氧化剂,从而将前述第2层氧化的工序。
主权项:1.衬底处理方法,其中,通过将包括下述a、b、c的循环执行规定次数,从而在衬底上形成包含规定元素的氧化膜:a通过对所述衬底供给包含所述规定元素及卤元素的第1原料,从而在所述衬底上形成由所述卤元素封端的包含所述规定元素的第1层的工序;b通过对形成有所述第1层的所述衬底供给在1分子中包含所述规定元素、及与所述规定元素键合的唯一的氨基的第2原料,从而在所述衬底上形成包含所述规定元素的第2层的工序;和c通过对形成有所述第2层的所述衬底供给氧化剂,从而将所述第2层氧化的工序。
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百度查询: 株式会社国际电气 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置
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