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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：描述了具有背面触点选择性的集成电路结构。在示例中，一种集成电路结构包括多条水平堆叠的纳米线。栅极堆叠体位于所述多条水平堆叠的纳米线上方。外延源极或漏极结构位于所述多条水平堆叠的纳米线的端部。硬掩模材料位于所述外延源极或漏极结构的底部下方。导电栅极触点垂直位于所述栅极堆叠体的底部下方并且与所述栅极堆叠体的底部接触，所述导电栅极触点在所述硬掩模材料的一部分下方延伸并且与所述硬掩模材料的一部分接触。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：多条水平堆叠的纳米线；位于所述多条水平堆叠的纳米线上方的栅极堆叠体；位于所述多条水平堆叠的纳米线的端部处的外延源极或漏极结构；位于所述外延源极或漏极结构的底部下方的硬掩模材料；以及导电栅极触点，所述导电栅极触点垂直位于所述栅极堆叠体的底部下方并且与所述栅极堆叠体的底部接触，所述导电栅极触点在所述硬掩模材料的一部分下方延伸并且与所述硬掩模材料的所述一部分接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有背面触点选择性的集成电路结构
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