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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：鳍型有源区域，在基底上沿第一横向方向延伸；器件隔离膜，覆盖鳍型有源区域的侧壁；栅极线，在鳍型有源区域和器件隔离膜上；纳米片堆叠件，在鳍型有源区域中的每个的鳍顶表面上，每个纳米片堆叠件包括至少一个纳米片并被栅极线围绕；栅极切割绝缘部分，在器件隔离膜上并在第二横向方向上面对栅极线的端侧壁；以及角绝缘间隔件，在纳米片堆叠件中的第一纳米片堆叠件与栅极切割绝缘部分之间并且在器件隔离膜与栅极线之间，第一纳米片堆叠件在第二横向方向上最接近栅极切割绝缘部分。
主权项：1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：多个鳍型有源区域，在基底上沿第一横向方向延伸，所述多个鳍型有源区域在第二横向方向上彼此分开，第二横向方向与第一横向方向交叉；器件隔离膜，覆盖所述多个鳍型有源区域中的每个鳍型有源区域的侧壁；栅极线，在所述多个鳍型有源区域和器件隔离膜上沿第二横向方向延伸；多个纳米片堆叠件，分别在所述多个鳍型有源区域的鳍顶表面上，每个纳米片堆叠件包括至少一个纳米片，并且每个纳米片堆叠件被栅极线围绕；栅极切割绝缘部分，在器件隔离膜上，栅极切割绝缘部分在第二横向方向上面对栅极线的端侧壁；以及角绝缘间隔件，在第一纳米片堆叠件与栅极切割绝缘部分之间并且在器件隔离膜与栅极线之间，第一纳米片堆叠件选自于所述多个纳米片堆叠件并且在第二横向方向上最靠近栅极切割绝缘部分。
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