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申请/专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种双向TVS二极管结构，从下至上依次设置有集电极层，N‑外延层，P+注入区，N+注入区，氧化层，AL层，SiN层，其中所述N‑外延层位于所述集电极层上，所述P+注入区位于所述N‑外延层中，所述N+注入区有两层，均位于所述P+注入区中，两个N+截止环位于N‑外延层两侧，所述氧化层位于N‑外延层之上，所述AL层位于氧化层上，所述SiN层位于AL层上。本发明通过浸泡氢氟酸泡除表面自然形成的薄且疏松的PSG介质层，并进行低压CVD成膜，达到提高介质膜粘附性的目的，更好的保护衬底及掺杂区，同时降低了表面钝化层脱落的风险。
主权项：1.一种双向TVS二极管结构，其特征在于，从下至上依次设置有集电极层，N-外延层，P+注入区，N+注入区，氧化层，AL层，SiN层，其中所述N-外延层位于所述集电极层上，所述P+注入区位于所述N-外延层中，所述N+注入区有两层，均位于所述P+注入区中，两个N+截止环位于N-外延层两侧，所述氧化层位于N-外延层之上，所述AL层位于氧化层上，所述SiN层位于AL层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏新顺微电子股份有限公司 一种双向TVS二极管结构及其制备方法
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