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申请/专利权人:厦门大学
摘要:本实用新型涉及传感器技术领域,具体涉及一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器,包括硅片,所述硅片上设置有电阻、金属引线、欧姆接触区和背腔,所述电阻采用扩散法或离子注入法制造在硅片顶面上,采用阶梯状设置,以110方向排布,横跨整个应力集中区域;所述欧姆接触区与电阻的边缘接触,所述背腔采用深硅刻蚀制备。本实用新型采用阶梯式的电阻设计,扩大了电阻的纵向尺寸,对光刻、刻蚀过程中引入的操作误差得到了较好的补偿,保证了制造过程中的良率。
主权项:1.一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器,包括硅片,所述硅片上设置有电阻、金属引线、欧姆接触区和背腔,其特征在于:所述电阻采用扩散法或离子注入法制造在硅片顶面上,采用阶梯状设置,以110方向排布,横跨整个应力集中区域;所述欧姆接触区与电阻的边缘接触,所述背腔采用深硅刻蚀制备。
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权利要求:
百度查询: 厦门大学 一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器
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