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申请/专利权人:深迪半导体(绍兴)有限公司
摘要:本发明提供了一种MEMS器件及其制造方法,所述MEMS器件是压阻式压力传感器和惯性传感器的集成器件,其中包括惯性器件层和盖体,所述结构层惯性器件层设置有惯性传感器结构;所述盖体与所述惯性器件层相连接;所述盖体设置有压阻式压力传感器结构。
主权项:1.一种MEMS器件,包括惯性器件层、第二衬底层和盖体,所述惯性器件层设置有惯性传感器结构;所述惯性器件层分别与所述第二衬底层和所述盖体相连接,所述第二衬底层、所述惯性器件层和所述盖体依次层叠设置,其特征在于,所述盖体设置有压阻式压力传感器结构;所述盖体包括依次层叠设置的第一衬底层、结构层和连接层;所述结构层设置有压力感应薄膜;所述连接层与所述惯性器件层相连接;所述第一衬底层设置有将所述压力感应薄膜与外界连通的开口;所述盖体还包括导电层,所述导电层分别与所述连接层和所述压力感应薄膜相连接;所述第二衬底层、所述压力感应薄膜、所述导电层和所述连接层限定了所述惯性传感器结构所处的空腔。
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百度查询: 深迪半导体(绍兴)有限公司 MEMS器件及其制造方法
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