龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西北工业大学
摘要：本发明公开了一种基于激光近净成形制备的Cf‑SiCnwsSiC陶瓷基复合材料及方法，属于增材制造技术领域。本发明公开的方法采用激光近净成形技术制备CfSiC陶瓷基复合材料，随后结合热处理工艺，在CfSiC陶瓷基复合材料内部原位生长了SiCnws，且SiCnws在CfSiC陶瓷基复合材料内部原位生长的SiCnws更加均匀，与内部组织结合性更好；该制备过程简单易控、可重复性高、周期短且性能优良，探索了LENS技术在SiC陶瓷增材制造领域的应用；同时，避免先制备素胚后脱脂热处理等流程所导致的质量不佳、操作繁琐、周期较长等问题；另外在径向纳米尺度上可以与Cf径向微米尺度上互相配合，达到更加优异的增强增韧效果，防止基体开裂及脱粘。
主权项：1.一种基于激光近净成形制备Cf-SiCnwsSiC陶瓷基复合材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：将原始碳纤维粉体浸入硅溶胶中，随后取出并烘干，得到改性Cf粉体；将Si粉体、SiC粉体及改性Cf粉体混合后，得到混合粉体；将混合粉体、PVA溶液、水和乙醇混合，进行喷雾造粒后得到Si-SiC-Cf复合粉体；采用Si-SiC-Cf复合粉体作为打印原料，采用激光近净成形进行打印，直至得到目标尺寸的CfSiC陶瓷基复合材料；将目标尺寸的CfSiC陶瓷基复合材料进行热处理，热处理结束后得到Cf-SiCnwsSiC陶瓷基复合材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北工业大学 一种基于激光近净成形制备的Cf-SiCnws/SiC陶瓷基复合材料及方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号