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申请/专利权人：浙江锂宸新材料科技有限公司
摘要：本发明公开了一种提高氧化亚硅包碳利用率的方法及其产品与应用，所述方法包括S1将氧化亚硅料投入CVD包覆炉中，向CVD包覆炉中通入碳源气，调节炉内温度、对进料速度、气源流速以及炉旋转频率进行参数组合，获得一次碳包覆物料；S2对每小时出料进行碳含量和电阻率测试，若测试为合格，则直接出料；若测试为不合格，即存在游离碳，则执行S3烧结处理；S4将烧结料再次投入CVD包覆炉中，调整进料速度、气源流速以及炉旋转频率的参数组合，获得二次碳包覆物料。本发明通过在规定的碳含量范围内对进料速度、气源流速以及炉旋转频率进行了动态组合，成功地解决了游离碳问题，并降低了产品的电阻率和提高循环稳定性。
主权项：1.提高氧化亚硅包碳利用率的方法，其特征在于：包括S1包覆将氧化亚硅料投入CVD包覆炉中，向CVD包覆炉中通入碳源气，调节炉内温度、对进料速度、气源流速以及炉旋转频率进行参数组合，获得一次碳包覆物料；S2测试对每小时出料进行碳含量和电阻率测试；若测试为合格，则直接出料；合格物料的判断标准为：碳含量在3%-5%之间，电阻率在0.35-0.65·cm之间，且碳含量与电阻率满足：碳含量×100电阻率＞5，确认合格；若测试为不合格，即存在游离碳，则执行：S3烧结处理将不合格物料投入烧结炉中，持续通入氧气和氮气的混合气，调节炉内温度，处理后获得烧结料；再次检测碳含量；S4再包覆将烧结料再次投入CVD包覆炉中，基于碳含量值调整进料速度、气源流速以及炉旋转频率的参数组合，获得二次碳包覆物料；步骤S4中基于碳含量值调整进料速度、气源流速以及炉旋转频率的参数组合的方法为：S41将进料速度、气源流速以及炉旋转频率分别分成等级： ；S42根据烧结后的碳含量值调整二次碳包覆的参数组合： ；步骤S1中一次碳包覆的参数组合包括： 。
全文数据：
权利要求：
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