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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司
摘要：本发明提供了一种单晶炉及单晶硅的制备方法，属于半导体制造技术领域。所述单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有坩埚支撑组件，所述坩埚支撑组件上设置有坩埚，所述炉体的内壁和所述坩埚的外周之间设置有加热器，所述炉体的顶部设置有籽晶提拉机构，所述单晶炉还包括：设置于所述炉体上方、围绕所述籽晶提拉机构的引颈加热稳温单元，用于在引细颈时提供温度场；控制单元，用于获取引细颈过程中的细颈直径，根据所述细颈直径调整所述引颈加热稳温单元的功率和或所述引颈加热稳温单元与所述坩埚内硅熔液界面之间的距离。本发明能够使得引细颈直径均匀。
主权项：1.一种单晶炉，所述单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有坩埚支撑组件，所述坩埚支撑组件上设置有坩埚，所述炉体的内壁和所述坩埚的外周之间设置有加热器，所述炉体的顶部设置有籽晶提拉机构，其特征在于，所述单晶炉还包括：设置于所述炉体上方、围绕所述籽晶提拉机构的引颈加热稳温单元，用于在引细颈时提供温度场；控制单元，用于获取引细颈过程中的细颈直径，根据所述细颈直径调整所述引颈加热稳温单元的功率和或所述引颈加热稳温单元与所述坩埚内硅熔液界面之间的距离。
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