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申请/专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司

摘要：本发明公开了一种毫米波芯片制作方法，包括如下步骤：对减薄后的晶圆的背面进行背面光刻，背面光刻的目的是将背面的分片通道进行光刻，将晶圆的有效芯片区域进行保护；背面光刻采用背面分片光刻版将芯片的正面和背面进行双面对准，然后露出背面分片通道；下一步采取化学气体刻蚀的方法，将无光刻胶保护的背面分片区域进行刻蚀，直至刻蚀到保护蜡区域，刻蚀完毕后，进行光刻胶的去除工艺；当背面刻蚀完毕并将背面的光刻胶去除后，将已经减薄的待取芯片晶圆放置在取片装置上，将保护蜡融掉，分立的芯片将在自身重力的作用下自动落入到取片装置上。通过所述方法制备的芯片没有崩边或者毛刺，质量高。

主权项：1.一种毫米波芯片制作方法，其特征在于包括如下步骤：对芯片的晶圆（1）正面进行加工工艺，在芯片的晶圆正面工艺做完后，晶圆将进入减薄工艺，在减薄的工艺过程中，将芯片的正面采用保护蜡（2）将晶圆的正面进行保护，然后将整个晶圆粘在晶圆支撑（3）上，此时晶圆的正面朝上，通过保护蜡（2）与晶圆支撑（3）接触，晶圆的背面进行减薄工艺，在减薄的过程中将晶圆减薄至10微米-50微米；当晶圆减薄至目标厚度后，对晶圆的背面进行背面光刻，背面光刻的目的是将背面的分片通道进行光刻，将晶圆的有效芯片区域进行保护；背面光刻采用背面分片光刻版将芯片的正面和背面进行双面对准，然后露出背面分片通道，此时晶圆的有效芯片区域的背面有光刻胶进行保护；下一步采取化学气体刻蚀的方法，将无光刻胶保护的背面分片区域进行刻蚀，直至刻蚀到保护蜡区域，刻蚀完毕后，进行光刻胶的去除工艺；当背面刻蚀完毕并将背面的光刻胶去除后，将已经减薄的待取芯片晶圆放置在取片装置上，将保护蜡融掉，分立的芯片将在自身重力的作用下自动落入到取片装置上；所述取片装置包括支撑架（4），所述支撑架（4）的上端设置有支撑环（5），所述支撑环（5）的内圈与晶圆（1）相适配，待融化保护蜡的晶圆放置到所述支撑环（5）内，所述支撑架（4）的下端设置有金属丝网（6），所述金属丝网（6）用于承接从支撑环掉下的分立的芯片；所述金属丝网（6）所采用的丝网缝隙大小取决于毫米波芯片的尺寸的大小；当获得分立的芯片后，将芯片进行烘干获得完整的可用芯片。

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