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申请/专利权人：苏州宽温电子科技有限公司
摘要：本发明涉及静态随机存取存储器技术领域，具体提供了一种基于10T‑SRAM单元的低功耗布尔运算电路及芯片，该电路包括：预充模块，在数据读取或布尔运算时预充RBL；存储模块，包括共用RBL、WBL和WBLB且均读写分离的两个10T‑SRAM单元，其连接预充模块；电荷控制模块，控制使能信号EN对漏电电荷进行收集或释放，其连接存储模块；布尔运算模块，控制灵敏放大器的参考电压进行布尔运算，其连接电荷控制模块。本发明基于读写分离的10T‑SRAM单元进行存内计算，在实现独立两单元布尔运算的同时，保证存储节点不被破坏；对数据读取和布尔运算时的漏电电荷进行收集和释放，实现了漏电功耗再利用，具有低功耗的优点。
主权项：1.一种基于10T-SRAM单元的低功耗布尔运算电路，其特征在于，包括：预充模块，其用于在数据读取或布尔运算时预充第一读位线RBL，在数据写入时预充第一写位线WBL和第二写位线WBLB；存储模块，其用于存储数据；所述存储模块包括两个10T-SRAM单元，所述两个10T-SRAM单元共用所述第一读位线RBL、所述第一写位线WBL和所述第二写位线WBLB，且均为读写分离结构；所述存储模块通过所述第一写位线WBL、所述第二写位线WBLB和所述第一读位线RBL连接所述预充模块；电荷控制模块，其用于在进行所述数据读取或所述布尔运算时，控制使能信号EN对漏电电荷进行收集或释放；所述电荷控制模块通过第一虚拟地线VGA、第二虚拟地线VGB和所述第一读位线RBL连接所述存储模块；布尔运算模块，其对灵敏放大器的参考电压进行控制，用于进行所述布尔运算；所述布尔运算包括NAND和NOR；所述布尔运算模块连接所述电荷控制模块。
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百度查询： 苏州宽温电子科技有限公司 基于10T-SRAM单元的低功耗布尔运算电路及芯片
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