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申请/专利权人：中山亿联智能科技有限公司
摘要：本发明公开了一种基于MOS管控制的指纹挂锁低功耗电路，包括触摸模块、单片机U1和控制模，控制模块包括P‑MOS管Q1、Q2、NPN三极管Q3、电阻R2、R3、R4、R5、二极管D2、D3，所述P‑MOS管Q1的源极接锂电池，P‑MOS管Q1的栅极接USB接口后接入P‑MOS管Q2的源极，所述P‑MOS管Q2的栅极接电阻R3后接入NPN三极管Q3的集电极，P‑MOS管Q2的漏极通过电阻R2与其栅极连接后接入P‑MOS管Q1的漏极，所述NPN三极管Q3的发射极接地，且NPN三极管Q3的基极通过电阻R4分别通过二极管D2、D3接入单片机U1。本发明能减少MCU及其他外围元器件在待机时的耗电，减少了不必要的元器件耗电，延长了指纹锁的待机时长。
主权项：1.一种基于MOS管控制的指纹挂锁低功耗电路，其特征在于，包括：触摸模块，用于获取高电平信号后上传至单片机；单片机U1，用于接收高电平信号后并持续输出高电平信号并上传；控制模块，用于获取持续的高电平信号并进行开锁；其中控制模块包括P-MOS管Q1、Q2、NPN三极管Q3、电阻R2、R3、R4、R5、二极管D1、D2、D3，所述P-MOS管Q1的源极接锂电池，P-MOS管Q1的栅极接USB接口后连接二极管D1的阳极，二极管D1的阴极连接到P-MOS管Q2的源极，所述P-MOS管Q2的栅极接电阻R3后接入NPN三极管Q3的集电极，P-MOS管Q2的漏极与P-MOS管Q1的漏极连接，且P-MOS管Q2的漏极通过电阻R2与Q2的栅极连接，所述NPN三极管Q3的发射极接地，且NPN三极管Q3的基极通过电阻R4分别通过二极管D2、D3接入单片机U1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山亿联智能科技有限公司 一种基于MOS管控制的指纹挂锁低功耗电路
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