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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请的实施例提供了半导体器件、集成电路器件及其制造方法。在一些实施例中，IC器件包括设置在第一平面中的第一导电层中的第一导线、设置在第二平面中的第二导电层中的第二导线以及连接第一导线和第二导线的导体，导体包括导电壁，导电壁设置在基本上横向于所述第一平面的平面中，并且具有在基本上平行于第一平面的方向上的长度和在基本上横向于第一平面的方向上的高度。在一些实施例中，导电壁包括将两个金属扩散区电互连的导电板，每个金属扩散区电连接到第一和第二导线中相应的一个。在其它实施例中，导电壁包括彼此邻接的两个金属扩散区，每个金属扩散区电连接到第一和第二导线中相应的一个。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一金属层，基本上设置在第一平面中；第二金属层，基本上设置在所述第一平面上方的第二平面中；电源抽头单元，包括将所述第一金属层和所述第二金属层电互连的导体，所述导体包括导电壁，所述导电壁在基本上横向于所述第一平面的方向上具有高度、在基本上平行于所述第一平面的方向上具有长度、并且在基本上横向于所述高度和长度的方向的方向上具有厚度；以及有源半导体层，基本上设置在基本上平行于所述第一平面的第三平面中，所述有源半导体层具有前侧和背侧，所述第一金属层包括用于被连接为接收第一极性的电力的第一多个金属线，并且所述导电壁与所述第一多个金属线中的至少第一金属线基本上垂直对准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件、集成电路器件及其制造方法
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