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申请/专利权人：上海埃积半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种IGBT单管结构及制作方法、半导体功率器件，该结构包括：绝缘底板，绝缘底板上设置上半桥底板和下半桥底板，上半桥底板和下半桥底板上分别安装IGBT芯片和FRD芯片；绝缘底板上设置分别与上半桥底板或上半桥底板对应的栅极引脚、发射极引脚、开尔文引脚和集电极引脚；第一发射极引脚与下半桥底板连通；IGBT芯片分别与对应的FRD芯片铝带键合连通，第二发射极引脚与第二IGBT芯片铝带键合连通；IGBT芯片上设置有焊盘分别与对应的栅极引脚、开尔文引脚铝线键合连通；IGBT单管结构的塑封体外部套设金属外壳。该方案在使用IGBT单管构成半桥电路时，能够承载较大电流，且使器件的抗EMI能力较强。
主权项：1.一种IGBT单管结构，其特征在于，包括：绝缘底板，所述绝缘底板上设置有一上半桥底板和一下半桥底板，所述上半桥底板上安装有至少一第一IGBT芯片和至少一第一FRD芯片，所述下半桥底板上安装有至少一第二IGBT芯片和至少一第二FRD芯片；所述绝缘底板上设置有与所述上半桥底板对应的第一栅极引脚、第一发射极引脚、第一开尔文引脚和第一集电极引脚，所述绝缘底板上还设置有与所述下半桥底板对应的第二栅极引脚、第二发射极引脚、第二开尔文引脚和第二集电极引脚；所述第一集电极引脚与所述上半桥底板连通，所述第二集电极引脚与所述下半桥底板连通；所述第一发射极引脚还与所述下半桥底板连通；所述第一IGBT芯片和所述第一FRD芯片铝带键合连通，所述第一发射极引脚与所述第一FRD芯片铝带键合连通；所述第二IGBT芯片和所述第二FRD芯片铝带键合连通，所述第二发射极引脚与所述第二IGBT芯片铝带键合连通；所述第一IGBT芯片上设置有焊盘分别与对应的所述第一栅极引脚、所述第一开尔文引脚铝线键合连通；所述第二IGBT芯片上设置有焊盘分别与对应的所述第二栅极引脚、所述第二开尔文引脚铝线键合连通；所述IGBT单管结构的塑封体外部套设有金属外壳。
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权利要求：
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