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申请/专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种铜片静态低温氧化的工艺方法，将铜片放入烘箱内，烘箱内加入可控的氮气和空气，使铜片在一个封闭、低温的静态环境里进行氧化，避免了氮气气氛和温度波动对铜片氧化的影响，并可防止灰尘进入，提高了产品的烧结良率。同时可大幅减少电力、氮气、空气的消耗，降低人工操作和设备运行成本。
主权项：1.一种铜片静态低温氧化的工艺方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤一、将待氧化铜片放入烘箱并关门，通入氮气，氮气压力4MPa，流量80～90mlmin，时间为20-30min；步骤二、待烘箱内氧含量小于10ppm，持续4-6min后，在氮气氛围下启动升温，升温温度设置为260-280℃，升温时间为65-75min；步骤三、待烘箱内温度升到设定温度后，马上降温，降温温度设置为230-250℃，降温时间为12-18min；步骤四、待烘箱内温度降到设定温度后，恒温4-6min；步骤五、关闭氮气切换通入空气，空气压力0.3MPa，空气流量70～80mlmin，使铜片氧化，氧化时间保持为4-6min；步骤六、关闭空气切换为通入氮气，氮气压力4MPa，流量80～90mlmin，恒温2min；步骤七、在氮气保护下降温至室温；步骤八、打开烘箱门，取出已氧化的铜片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海富乐华半导体科技有限公司 一种铜片静态低温氧化的工艺方法
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