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申请/专利权人:南京邮电大学
摘要:本发明公开了一种制备基于氧化锌氧化铪射频开关及其制备方法,射频开关以硅基晶片为载体,以金属铂和金属银作为射频开关器件的电极层,用以二硫化钼和氧化锌作为阻变材料,包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、镍层、铂层、二硫化钼层、氧化锌层、银层、氮化钛层、镍层、铜层。本发明在硅衬底上利用光刻工艺和PVD磁控溅射镀膜工艺制备射频开关,制备方法工艺简单,成本低。制备的射频开关具有优异的性能和良好的应用前景。
主权项:1.一种基于氧化锌氧化铪射频开关,其特征在于,该射频开关以硅基晶片为载体,包括从下至上依次设置的硅衬底层(1)、氮化铝层(2)、镍层(3)铂层(4)、二硫化钼层氧化锌量子点层(5)、氧化锌层氧化铪层(6)、银层(7)、氮化钛层(8)、镍层(9)、铜层(10)。
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权利要求:
百度查询: 南京邮电大学 一种制备基于氧化锌/氧化铪射频开关及其制备方法
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