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申请/专利权人：浙江众凌科技有限公司
摘要：本发明公开了一种高残厚产品的掩膜板制备方法，涉及掩膜板制备技术领域，包括以下步骤：将基板先后浸渍于有机溶剂中5至10min，取出后用去离子水冲洗干净，清洗基板表面的尘埃或杂质，再喷洒封装材料，制备改性光刻胶，按照配重比例将高纯度氟化氢、氧化钇和光刻胶混合，涂覆，按照配重比例将抗反射涂层加入改性光刻胶内，混合30至40分钟，得混合物，再将混合物通过电子束光刻技术涂覆在基板表面，得到高残厚产品的掩膜板。该高残厚产品的掩膜板制备方法，能够长时间保持掩膜板制作过程中的热稳定性，确保掩膜板图案的精确度和完整性，避免出现的衍射现象导致掩膜板曝光图形边缘出现分辨率低和图形失真的问题。
主权项：1.一种高残厚产品的掩膜板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：选择基板，将基板先后浸渍于有机溶剂中5至10min，取出后用去离子水冲洗干净，再将基板浸渍于氢氟酸和硝酸1:1至1:3体积比的混合溶液中刻蚀1至2min，取出后用去离子水冲洗干净，然后将基板浸渍于0.01至0.05molL的氯化亚锡敏化液中5至10min，敏化温度30至45℃，取出后用去离子水冲洗干净，将基板放入氯化钯活化剂中，活化温度为30至60℃，取出之后用去离子水冲洗干净，清洗基板表面的尘埃或杂质，再喷洒封装材料；步骤二：制备改性光刻胶，按照配重比例将高纯度氟化氢、氧化钇和光刻胶混合，搅拌30min至60min，温度控制在40℃至55℃，得到改性光刻胶；步骤三：涂覆，按照配重比例将抗反射涂层加入改性光刻胶内，混合30至40分钟，得混合物，再将混合物通过电子束光刻技术涂覆在基板表面，得到高残厚产品的掩膜板。
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权利要求：
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