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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本公开提供了一种GePb纳米片的异质选区外延方法和GePb纳米片，方法包括：获取具有掩膜的衬底。在具有掩膜的衬底上沉积Pb原子。对沉积Pb原子后的具有掩膜的衬底进行退火，以使掩膜的窗口内形成Pb金属液滴。在形成Pb金属液滴后的具有掩膜的衬底上沉积Ge原子。以及去除掩膜，得到GePb纳米片。本公开的GePb纳米片的异质选区外延方法，实现了直接在衬底上获得高Pb组分且高质量的GePb纳米片材料，无穿透位错，且有效克服了与衬底晶格的失配。
主权项：1.一种GePb纳米片的异质选区外延方法，其特征在于，包括：获取具有掩膜的衬底；在所述具有掩膜的衬底上沉积Pb原子；对沉积Pb原子后的所述具有掩膜的衬底进行退火，以使所述掩膜的窗口内形成Pb金属液滴；在形成所述Pb金属液滴后的所述具有掩膜的衬底上沉积Ge原子；以及去除所述掩膜，得到所述GePb纳米片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 GePb纳米片的异质选区外延方法和GePb纳米片
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