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申请/专利权人：浙江英洛华磁业有限公司
摘要：本发明公开了一种基于选区蒸镀扩散的R‑T‑B磁体及其制备方法，在预扩散基体的扩散表面上划分蒸镀区（边角区域）和非蒸镀区（非边角区域），制备板状蒸镀扩散源，划分至少一个边角区和一个镂空区，预扩散基体的蒸镀区和非蒸镀区分别与板状蒸镀扩散源的边角区和镂空区对应放置，利用真空蒸镀原理对磁体边角区域进行蒸镀扩散。所得磁体存在至少一个表面A和相邻的侧面B，表面A的边角区域的平均重稀土含量是侧面B的1.3倍以上、表面A的边角区域的平均重稀土含量是表面A的非边角区域的1.8倍以上。本发明采用选区蒸镀扩散的方法对磁体边角区域同时进行蒸镀和扩散，减少了重稀土扩散源的用量，并且在提高矫顽力的同时，降低扩散后磁体的Br的减少量。
主权项：1.一种基于选区蒸镀扩散的R-T-B磁体，其特征在于所述磁体包括以下质量百分的成分：R：28~35wt.%，R由R1和RH组成，RH含量为磁体质量的0.1wt.%~15.0wt.%，RH为Dy、Tb或两者的混合物；占磁体质量0.2wt.%~1.2wt.%的RH以晶界扩散的方式添加到磁体中；R的余量为R1，R1为Pr、Nd、La、Ce、Gd、Sm、Er、Y、Pm、Tm、Yb、Lu、Ho中的一种或多种；M：0.1~7wt.%，M由M1和M2组成，M1含量为磁体质量的0.3~1.0wt.%，M1为高熔点元素，M1为Zr、Nb、Ti中的一种或多种；M的余量为M2，M2为Al、Cu、Ga、Zn、Ni金属元素中的一种或多种；B：0.9~1.1wt.%，B为硼元素；余量为T及其他不可避免杂质，T为Fe或Fe和Co；所述磁体存在至少一个表面A和一个侧面B，表面A和侧面B相邻；表面A的边角区域的平均重稀土含量是侧面B的1.3倍以上、表面A的边角区域的平均重稀土含量是表面A的非边角区域的1.8倍以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江英洛华磁业有限公司 一种基于选区蒸镀扩散的R-T -B磁体及其制备方法
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