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申请/专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
摘要：本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1‑xPbx，其中，0x1；所述波导层中的光信号通过倏逝波耦合进入所述器件结构。本发明使得光电探测器在短波红外到中波红外波段都能实现高效吸收。
主权项：1.一种波导型GePb红外光电探测器，其特征在于，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、第一缓冲层、吸收层、第二缓冲层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1-xPbx，其中，0.001＜x＜0.02，所述吸收层是采用Ge材料的选择性外延生长与Pb离子注入相结合的方式来形成；所述波导层的材料为硅；所述下接触层的材料为具有第一掺杂离子的硅材料；所述上接触层的材料为具有第二掺杂离子的Ge材料，且所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反；所述波导层与所述下接触层连接，所述波导层中的光信号通过倏逝波耦合进入所述器件结构，所述波导型GePb红外光电探测器的探测范围在3μm以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新微技术研发中心有限公司 波导型GePb红外光电探测器及其制造方法
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