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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供了半导体结构。半导体结构包括：功能单元区域，包括n型功能晶体管和p型功能晶体管。半导体结构也包括：第一电源传输单元区域，包括第一切割部件和位于第一切割部件中的第一接触轨。半导体结构也包括：第一电源轨，电连接至p型功能晶体管的源极端子和第一电源传输单元区域的第一接触轨。半导体结构也包括：第二电源传输单元区域，与第一电源传输单元相邻并且包括第二切割部件和位于第二切割部件中的第二接触轨。半导体结构也包括：绝缘带，在第一方向上从第一切割部件延伸至第二切割部件。本申请的实施例还涉及用于形成半导体结构的方法。
主权项：1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：形成围绕第一有源区域的隔离结构；形成横跨所述第一有源区域和所述隔离结构的第一伪栅极结构；用绝缘带替换至少所述第一伪栅极结构的部分；穿过所述绝缘带和所述隔离结构形成第一切割部件；在所述第一切割部件中形成第一接触轨；在所述第一切割部件中形成与所述第一接触轨重叠的第一通孔轨；以及形成与所述第一通孔轨重叠的第一金属线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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