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微型发光二极管装置 

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申请/专利权人:美科米尚技术有限公司

摘要:一种微型发光二极管装置包含基板、微型发光二极管以及阴极透明电极。微型发光二极管设置于基板上并包含p型III氮化物层、在p型III氮化物层上的第一n型III氮化物层、在第一n型III氮化物层上的第二n型III氮化物层以及在p型III氮化物层与第一n型III氮化物层之间的主动层。第二n型III氮化物层含铝,并具有顶面与底面。第二n型III氮化物层的折射率小于第一n型III氮化物层的折射率,并从顶面以单调非减少方式变化。第二n型III氮化物层的折射率在底面处大于在顶面处。阴极透明电极接触顶面。借此,可以有效提高微型发光二极管的出光效率。

主权项:1.一种微型发光二极管装置,其特征在于,包含:基板,其上具有阳极电极;一微型发光二极管,具有小于100微米的横向宽度,设置于该基板上且接触该基板,并包含:p型III氮化物层;第一n型III氮化物层,在该p型III氮化物层上方;第二n型III氮化物层,在该第一n型III氮化物层上方且与该第一n型III氮化物层接触,其中该第二n型III氮化物层含铝,并具有分别远离与靠近该第一n型III氮化物层的顶面与底面,该第二n型III氮化物层的折射率小于该第一n型III氮化物层的折射率,并从该顶面以单调非减少方式变化,且该第二n型III氮化物层的该折射率在该底面处大于在该顶面处;以及主动层,在该p型III氮化物层与该第一n型III氮化物层之间;以及阴极透明电极,至少部分接触该第二n型III氮化物层的该顶面。

全文数据:

权利要求:

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