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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本实用新型公开了一种HEMT与LED的集成器件，该集成器件包括衬底以及设置于衬底一侧的双HEMT叠层结构和LED叠层结构；其中，LED叠层结构包括有源层，双HEMT叠层结构包括二维电子气层与二维空穴气层。二维电子气层复用为LED叠层结构的至少部分电子传输层，二维空穴气层复用为LED叠层结构的至少部分空穴传输层。利用二维电子气层为LED叠层结构提供较高浓度的电子，提升有源层中电子的注入效率。利用二维空穴气层为LED叠层结构提供较大浓度的空穴，提升有源层中空穴的注入效率，使LED叠层结构在小电流密度下实现高载流子注入，提升LED叠层结构的外量子效率，从而获得较高发光效率。同时也可增加注入有源层中电子和空穴浓度的匹配度，提高辐射复合效率。
主权项：1.一种HEMT与LED的集成器件，其特征在于，包括衬底以及设置于所述衬底一侧的双HEMT叠层结构和LED叠层结构；其中，所述LED叠层结构包括有源层，所述双HEMT叠层结构包括二维电子气层与二维空穴气层，所述二维电子气层设置在所述有源层靠近所述衬底的一侧，所述二维空穴气层设置在所述有源层远离所述衬底的一侧；所述二维电子气层复用为所述LED叠层结构的至少部分电子传输层，所述二维空穴气层复用为所述LED叠层结构的至少部分空穴传输层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 一种HEMT与LED的集成器件
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