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将薄膜铌酸锂调制器集成到硅光集成芯片的工艺 

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申请/专利权人:NANO科技(北京)有限公司

摘要:本发明提供一种将薄膜铌酸锂调制器集成到硅光集成芯片的工艺,所述硅基薄膜铌酸锂调制器包括:硅光波导、薄膜铌酸锂波导和垂直绝热耦合器。其中所述工艺包括以下步骤:以单片集成的方式将锗硅结构探测器集成在硅光集成芯片中;由SOI晶圆的顶层硅刻蚀形成所述硅光波导;将薄膜铌酸锂波导贴合在硅光集成芯片上对应于硅光波导的位置处;通过垂直绝热耦合器将所述硅光波导中的光导入到所述薄膜铌酸锂波导中,以及将所述薄膜铌酸锂波导中的光导回至所述硅光波导中。本发明采用混合集成方式将薄膜铌酸锂调制器集成到硅光集成芯片,完成集成后的集成芯片既拥有高速调制器,也具有高速探测器。

主权项:1.一种将薄膜铌酸锂调制器集成到硅光集成芯片的工艺,所述薄膜铌酸锂调制器包括:硅光波导、薄膜铌酸锂波导和垂直绝热耦合器,其中所述工艺包括以下步骤:以单片集成的方式将锗硅结构探测器集成在硅光集成芯片中;由SOI晶圆的顶层硅刻蚀形成所述硅光波导;将薄膜铌酸锂波导贴合在硅光集成芯片上对应于硅光波导的位置处;通过垂直绝热耦合器将所述硅光波导中的光导入到所述薄膜铌酸锂波导中,以及将所述薄膜铌酸锂波导中的光导回至所述硅光波导中,硅光集成芯片的第一金属层作为所述薄膜铌酸锂调制器的行波调制电极,硅光集成芯片的第二金属层作为所述薄膜铌酸锂调制器的电输入信号的电接触接口,所述第一金属层形成CPW形式的行波电极传输线,射频信号的馈入通过所述第二金属层完成。

全文数据:

权利要求:

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