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申请/专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司

摘要：本发明涉及一种深紫外倒装LED芯片及其制备方法，属于LED芯片制备技术领域。包括衬底、AIN缓冲层、N型AlGaN层、N型金属欧姆接触层、有源层、P型AlGaN层、P型GaN层、多个凸型结构、P型反射金属欧姆接触层、钝化层、第一Pad金属层、两个第二Pad金属层、第一金锡共晶层和两个第二金锡共晶层。通过在P型GaN层的正面间隔刻蚀多个凸型结构，并在多个凸型结构正面形成P型反射金属欧姆接触层，能够使P型反射金属欧姆接触层与P型GaN层呈一定的角度，增大P型反射金属欧姆接触层的反射面积，还能够使P型GaN层与P型反射金属欧姆接触层之间形成形成良好的欧姆接触，从而提高深紫外倒装LED芯片的出光效率。

主权项：1.一种深紫外倒装LED芯片，其特征在于，包括：衬底、AIN缓冲层（1）、N型AlGaN层（2）、N型金属欧姆接触层（21）、有源层（3）、P型AlGaN层（4）、P型GaN层（5）、多个凸型结构（51）、P型反射金属欧姆接触层（6）、钝化层（7）、第一Pad金属层（8）、两个第二Pad金属层（9）、第一金锡共晶层（10）和两个第二金锡共晶层（11）；所述衬底的正面依次形成AIN缓冲层（1）和N型AlGaN层（2），所述N型AlGaN层（2）的正面形成有源层（3）和N型金属欧姆接触层（21），且N型金属欧姆接触层（21）位于有源层（3）的外侧，所述有源层（3）的正面依次形成P型AlGaN层（4）和P型GaN层（5），所述P型GaN层（5）的正面间隔刻蚀有多个用于增大P型反射金属欧姆接触层（6）反射面积的凸型结构（51），多个所述凸型结构（51）的正面形成P型反射金属欧姆接触层（6），未被所述P型反射金属欧姆接触层（6）覆盖的P型GaN层（5）、P型反射金属欧姆接触层（6）、未被有源层（3）和N型金属欧姆接触层（21）覆盖的N型AlGaN层（2）、N型金属欧姆接触层（21）的正面形成所述钝化层（7），位于所述P型反射金属欧姆接触层（6）上方的钝化层（7）正面依次形成第一Pad金属层（8）和第一金锡共晶层（10），位于所述N型金属欧姆接触层（21）上方的钝化层（7）正面对称形成两个第二Pad金属层（9），两个第二Pad金属层（9）正面分别形成两个第二金锡共晶层（11）；多个所述凸型结构（51）的刻蚀深度小于P型GaN层（5）的厚度，多个所述凸型结构（51）的纵截面为梯形，或者，梯形和矩形的组合。

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