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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及一种悬桥结构热电堆器件的制作方法。制作方法：在半导体衬底的正面依次沉积多层隔离材料，形成堆叠隔离层；在堆叠隔离层表面形成多晶硅层，然后光刻图形化，得到多个多晶硅热电偶；在热电偶上方沉积氧化硅膜，并光刻图形化，形成电极接触孔；在电极接触孔内沉积导电金属，并图形化，然后在金属上方覆盖红外吸收层，之后图形化刻蚀至半导体衬底，打通正面悬桥；在半导体衬底的正面方向的表面上形成保护层，然后在半导体衬底的背面沉积氧化硅作为掩膜层，对半导体衬底进行选择性刻蚀，刻蚀至穿透半导体衬底，形成背腔；去除保护层，任选地经过后续工艺得到悬桥结构热电堆器件。本发明工艺简单，为制作悬桥结构的热电堆提供了便利。
主权项：1.一种悬桥结构热电堆器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和背面；在所述半导体衬底的正面依次沉积多层隔离材料，形成堆叠隔离层；在所述堆叠隔离层表面形成多晶硅层，然后光刻图形化，得到多个多晶硅热电偶；在热电偶上方沉积氧化硅膜，并光刻图形化，形成电极接触孔；在所述电极接触孔内沉积导电金属，并图形化，然后在金属上方覆盖红外吸收层，之后在半导体衬底的正面方向图形化刻蚀至所述半导体衬底，打通正面悬桥；在半导体衬底的正面方向的表面上形成保护层，然后在所述半导体衬底的背面沉积氧化硅作为掩膜层，对所述半导体衬底进行选择性刻蚀，刻蚀至穿透所述半导体衬底，形成背腔；去除保护层，经过后续工艺得到悬桥结构热电堆器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种悬桥结构热电堆器件的制作方法
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