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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法，包括：步骤1：对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；步骤2：获取待测MOSFETs器件的弱反型区的漏极电流的范围；步骤3：得到亚阈值摆幅；步骤4：选取任一弱反型区的漏极电流，得到该弱反型区的漏极电流对应的电容和；步骤5：根据选取的弱反型区的漏极电流，得到陷阱能量距带边的距离；步骤6：根据漏极电流噪声功率谱以及电容和，得到栅氧化层陷阱密度；步骤7：选取不同的弱反型区的漏极电流，重复步骤4‑6，得到若干组陷阱能量距带边的距离和栅氧化层陷阱密度，以得到栅氧化层陷阱密度的能量分布。本发明的栅氧化层陷阱表征方法，明显扩展了能量表征范围。
主权项：1.一种基于MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法，其特征在于，包括：步骤1：对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；步骤2：获取所述待测MOSFETs器件的弱反型区的漏极电流的范围；步骤3：根据所述弱反型区的转移特性得到亚阈值摆幅；步骤4：选取任一所述弱反型区的漏极电流，得到该弱反型区的漏极电流对应的电容和；步骤5：根据选取的所述弱反型区的漏极电流，得到陷阱能量距带边的距离；步骤6：根据所述漏极电流噪声功率谱以及所述电容和，得到栅氧化层陷阱密度；步骤7：选取不同的所述弱反型区的漏极电流，重复步骤4-6，得到若干组陷阱能量距带边的距离和栅氧化层陷阱密度，以得到栅氧化层陷阱密度的能量分布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种基于MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法
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