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申请/专利权人：上海海栎创科技股份有限公司

摘要：本发明提供了一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器，包括：MOS管输出模块，包括接入第一偏置电压的第一端口和接入第二偏置电压的第二端口；MOS管偏置控制模块，包括第一N型偏置MOS管、第二N型偏置MOS管，第一P型偏置MOS管、第二P型偏置MOS管；第二P型偏置MOS管分别与第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出第一偏置电压；第二N型偏置MOS管分别与第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出第二偏置电压；其中，第一N型偏置MOS管与第二P型偏置MOS管之间串联若干个N型限压MOS管，第一P型偏置MOS管与第二N型偏置MOS管之间串联若干个P型限压MOS管。本发明能够实现不额外使用高压MOS器件或者特别开发的减小衬底电流的MOS器件消除正反馈，降低AB类放大器底噪的目的。

主权项：1.一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器，其特征在于，包括：MOS管输出模块，包括接入第一偏置电压的第一端口和接入第二偏置电压的第二端口；所述MOS管输出模块包括：P型输出MOS管和N型输出MOS管；所述P型输出MOS管的源极与电源连接，所述P型输出MOS管与所述N型输出MOS管共漏极并作为AB类放大器的输出端，所述N型输出MOS管的源极接地；其中，所述第一端口为所述P型输出MOS管的栅极，所述第二端口为所述N型输出MOS的栅极；MOS管偏置控制模块，包括第一N型偏置MOS管、第二N型偏置MOS管，第一P型偏置MOS管、第二P型偏置MOS管；所述第二P型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第一偏置电压；所述第二N型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第二偏置电压；其中，所述第一N型偏置MOS管与所述第二P型偏置MOS管之间串联若干个N型限压MOS管，所述第一P型偏置MOS管与所述第二N型偏置MOS管之间串联若干个P型限压MOS管；当在所述第一P型偏置MOS管与所述第二N型偏置MOS管之间串联一个所述P型限压MOS管时，所述第一P型偏置MOS管的漏极电压为所述P型限压MOS管的栅极电压与所述P型限压MOS管的阈值之差；所述MOS管偏置控制模块包括：所述第二P型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第一偏置电压；所述第二N型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第二偏置电压；所述第二P型偏置MOS管的栅极作为AB类放大器的第一输入端，所述第二P型偏置MOS管的源极与电源连接，所述第二P型偏置MOS管的漏极分别与所述第一P型偏置MOS管的源极、所述第一N型偏置MOS管的漏极和所述P型输出MOS管的栅极连接；所述第一P型偏置MOS管的源极与所述P型输出MOS管的栅极连接，漏极与所述N型输出MOS管的栅极连接；所述第一N型偏置MOS管的漏极与所述P型输出MOS管的栅极连接，源极与所述N型输出MOS管的栅极连接；所述第二N型偏置MOS管的栅极作为AB类放大器的第二输入端，所述第二N型偏置MOS管的漏极分别与所述第一N型偏置MOS管的源极、所述第一P型偏置MOS管的漏极和所述N型输出MOS管的栅极连接，所述第二N型偏置MOS管的的源极接地；与所述第一N型偏置MOS管相邻的N型限压MOS管的源极与所述第一N型偏置MOS管的漏极连接，与所述第二P型偏置MOS管相邻的N型限压MOS管与所述第二P型偏置MOS管共漏极；与所述第一P型偏置MOS管相邻的P型限压MOS管的源极与所述第一P型偏置MOS管的漏极连接，与所述第二N型偏置MOS管相邻的P型限压MOS管与所述第二N型偏置MOS管共漏极。

全文数据：一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器技术领域本发明涉及AB类放大器领域，尤指一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器。背景技术A类放大器导通时间为100％，因此可得到较高的线性度，但是A类放大器静态偏置电流较大，在负载点的中心，在没有信号或者只有间断的信号时，会出现相当大的功率损失，因此效率较低。相对A类放大器，B类放大器是一种互补式的输出结构，两个晶体管不能同时工作，静态偏置电流基本为0，因此效率较高，同时由于每个器件工作半个周期，导通时间只有50％，存在较大的交越失真，严重影响了放大器的性能。而AB类放大器的输出器件工作时间大于半个周期而小于一个周期，导通时间在50—100％之间，它通过在B类放大器的两个晶体管输入端加适当的正向偏置电压，使两个晶体管不会彻底截止，消除了交越失真。AB类放大器既改善了B类放大器的非线性，效率又高于A类，是A类放大器的高线性度与B类放大器的高效率的结合。AB类放大器采用推挽输出，典型的偏置架构如图1所示：P型输出MOS管和N型输出MOS管是输出驱动管，第一P型偏置MOS管，第二P型偏置MOS管，第一N型偏置MOS管，第二N型偏置MOS管为P型输出MOS管、N型输出MOS管提供偏置电压，使得P型输出MOS管和N型输出MOS管在静态的时候处于弱导通状态，静态电流较小，以提高整体的效率，其中P型输出MOS管的栅压VPG即第一偏置电压与第一P型偏置MOS管的栅压VPB相关，N型输出MOS管的栅压VNG即第二偏置电压与第一N型偏置MOS管的栅压VNB相关。当第一P型偏置MOS管、第二P型偏置MOS管、第一N型偏置MOS管、第二N型偏置MOS管确定后，通过调整VPB，可以调整P型输出MOS管的栅压VPG即第一偏置电压；通过调整VNB，可以调整N型输出MOS管的栅压VNG即第二偏置电压。对MOS管，由于热载流子效应，会形成衬底漏电流。由于衬底漏电流与沟道电流和电场强度相关，因此当其它条件基本确定时，衬底漏电流与沟道电流基本呈线性关系，当电源电压升高时，第一N型偏置MOS管、第一P型偏置MOS管的Vds随之增大，增大到一定程度后，其衬底漏电流会非常显著，从而AB类放大器偏置区在电源电压增大后出现相位反转、增益降低的现象，当电源电压增大后，AB类放大器的底噪会逐渐增大，并且会出现一个极值，严重的影响了AB类放大器的电源电压工作范围。由于这个问题，AB类放大器在电压较高的应用中受到困扰，为了解决这个问题，需要消除掉正反馈的现象，可以采用特别的MOS器件，如高压MOS器件或者特别开发的减小衬底电流的MOS器件。但这种方式会带来成本的提升，降低产品的竞争力。发明内容本发明的目的是提供一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器，实现不额外使用高压MOS器件或者特别开发的减小衬底电流的MOS器件消除正反馈，降低AB类放大器底噪的目的。本发明提供的技术方案如下：本发明提供一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器，包括：MOS管输出模块，包括接入第一偏置电压的第一端口和接入第二偏置电压的第二端口；MOS管偏置控制模块，包括第一N型偏置MOS管、第二N型偏置MOS管，第一P型偏置MOS管、第二P型偏置MOS管；所述第二P型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第一偏置电压；所述第二N型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第二偏置电压；其中，所述第一N型偏置MOS管与所述第二P型偏置MOS管之间串联若干个N型限压MOS管，所述第一P型偏置MOS管与所述第二N型偏置MOS管之间串联若干个P型限压MOS管。进一步的，所述MOS管输出模块包括：P型输出MOS管和N型输出MOS管；所述P型输出MOS管的源极与电源连接，所述P型输出MOS管与所述N型输出MOS管共漏极并作为AB类放大器的输出端，所述N型输出MOS管的源极接地；其中，所述第一端口为所述P型输出MOS管的栅极，所述第二端口为所述N型输出MOS的栅极。进一步的，所述MOS管偏置控制模块包括：所述第二P型偏置MOS管的栅极作为AB类放大器的第一输入端，所述第二P型偏置MOS管的源极与电源连接，所述第二P型偏置MOS管的漏极分别与所述第一P型偏置MOS管的源极、所述第一N型偏置MOS管的漏极和所述P型输出MOS管的栅极连接；所述第一P型偏置MOS管的源极与所述P型输出MOS管的栅极连接，漏极与所述N型输出MOS管的栅极连接；所述第一N型偏置MOS管的漏极与所述P型输出MOS管的栅极连接，源极与所述N型输出MOS管的栅极连接；所述第二N型偏置MOS管的栅极作为AB类放大器的第二输入端，所述第二N型偏置MOS管的漏极分别与所述第一N型偏置MOS管的源极、所述第一P型偏置MOS管的漏极和所述N型输出MOS管的栅极连接，所述第二N型偏置MOS管的的源极接地；与所述第一N型偏置MOS管相邻的N型限压MOS管的源极与所述第一N型偏置MOS管的漏极连接，与所述第二P型偏置MOS管相邻的N型限压MOS管与所述第二P型偏置MOS管共漏极；与所述第一P型偏置MOS管相邻的P型限压MOS管的源极与所述第一P型偏置MOS管的漏极连接，与所述第二N型偏置MOS管相邻的P型限压MOS管与所述第二N型偏置MOS管共漏极。通过本发明提供的一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器，能够实现不额外使用高压MOS器件或者特别开发的减小衬底电流的MOS器件消除正反馈，降低AB类放大器底噪的目的。附图说明下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器的上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。图1是现有技术中AB类放大器的结构示意图；图2是现有技术中高Vds电压时偏置NMOS管的衬底漏电流的变化示意图；图3是现有技术中低Vds电压时偏置NMOS管的衬底漏电流的变化示意图；图4是现有技术中N型和P型偏置管的衬底漏电流与沟道电流的关系示意图；图5是现有技术中电源VDD的电压值等于5.5V时AB类放大器电压和电流随输入变化示意图；图6是典型的AB类运放工作电路的结构示意图；图7是现有技术中AB类放大器的底噪随电源电压的变化示意图；图8是本发明基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器的一个实施例的结构示意图；图9是本发明基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器的底噪随电源电压的变化示意图。具体实施方式为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。MOS管中，S为源极，D为漏极，G为栅极。AB类放大器采用推挽输出，典型的偏置架构如图1所示：P型输出MOS管P0和N型输出MOS管N0是输出驱动管，第一P型偏置MOS管P1，第二P型偏置MOS管P2，第一N型偏置MOS管N1，第二N型偏置MOS管N2为P型输出MOS管P0、N型输出MOS管N0提供偏置电压，使得P型输出MOS管P0和N型输出MOS管N0在静态的时候处于弱导通状态，静态电流较小，以提高整体的效率，其中P型输出MOS管P0的栅压即第一偏置电压VPG与第一P型偏置MOS管P1的栅压VPB相关，N型输出MOS管N0的栅压即第二偏置电压VNG与第一N型偏置MOS管N1的栅压VNB相关，当第一P型偏置MOS管P1、第二P型偏置MOS管P2、第一N型偏置MOS管N1、第二N型偏置MOS管N2确定后，通过调整VPB，可以调整P型输出MOS管P0的栅压即第一偏置电压VPG；通过调整VNB，可以调整N型输出MOS管N0的栅压即第二偏置电压VNG。为了控制P型输出MOS管P0和N型输出MOS管N0的直通电流，静态时，P型输出MOS管P0的VgsG极与S极之间的电压基本在Vthp门限值附近，且N型输出MOS管N0的VgsG极与S极之间的电压基本在Vthn门限值附近，则：第一偏置电压VPG≈VDD－Vthp；其中，VDD为电源的电压值，Vthp为P型输出MOS管P0的电压门限值。第二偏置电压VNG≈Vthn；其中，Vthn为N型输出MOS管N0的电压门限值。则第一P型偏置MOS管P1、第一N型偏置MOS管N1的Vds等于第一偏置电压VPG减去第二偏置电压VNG，即VDD－Vthp－Vthn。对MOS管，由于热载流子效应，会形成衬底漏电流，原因是沟道中强电场，使沟道的载流子发生碰撞电离，产生了电子－空穴对，一部分热载流子从漏极D进入衬底就形成了衬底漏电流。由于衬底漏电流与沟道电流和电场强度相关，因此当VdsD极与S极之间的电压固定时，随着Vgs的增大，沟道电流不断增大，但是随着Vgs继续增大，横向电场强度开始减小，因此在Vgs变大的过程中，衬底漏电流会出现一个峰值，如图2和图3所示。由于衬底漏电流由沟道载流子碰撞电离产生，因此当其它条件基本确定时，衬底漏电流与沟道电流基本呈线性关系，如图4所示。在不考虑衬底漏电流或者衬底漏电流非常微小的情况下，前述AB类放大器推挽部分的输入和输出是同相位的。当电源VDD的电压值升高时，第一N型偏置MOS管N1、第一P型偏置MOS管P1的Vds随之增大，增大到一定程度后，其衬底漏电流会非常显著，例如，第一N型偏置MOS管N1的衬底漏电流是143nA，第一P型偏置MOS管P1的衬底漏电流是8nA。下面对此时电路的工作状态进行分析，以NMOS为例，如图5所示。不考虑衬底漏电流的情况下，第二P型偏置MOS管P2的栅压增大，第二P型偏置MOS管P2的沟道电流减小，则第一偏置电压VPG减小，流过第一P型偏置MOS管P1的电流变小Vgs变小，流过第一N型偏置MOS管N1的电流增大。考虑衬底漏电流后，第一N型偏置MOS管N1有明显的衬底漏电流，流过第一N型偏置MOS管N1的沟道电流变大，则第一N型偏置MOS管N1的衬底漏电流会更大，当第一N型偏置MOS管N1衬底漏电流的变化速率大于第二P型偏置MOS管P2沟道电流的变化速率时，这里就不能平衡了，正常情况下，由于该节点的阻抗很大，nA级电流的变化就足以引起很大的电压变化，当第一N型偏置MOS管N1的衬底漏电流达到一定程度时，衬底漏电流的变化很容易超过第二P型偏置MOS管P2沟道电流的变化，所以在新的平衡中，偏置区电流的减小主要由第一N型偏置MOS管N1漏电流的减小决定。因此当第二P型偏置MOS管P2的栅压增大时，流过第一N型偏置MOS管N1的沟道电流减小，衬底漏电流也减小，且幅度大于第一P型偏置MOS管P1沟道电流减小幅度，等效于向VPG注入电流，导致第一偏置电压VPG增大，反过来引起流过第一P型偏置MOS管P1的电流增大，以达到新的平衡，最终的结果为第二P型偏置MOS管P2栅压与第一偏置电压VPG同向，整个系统成为正反馈。当第一N型偏置MOS管N1的衬底漏电流变化决定偏置区电流变化时，还会产生一个影响，当电源VDD的电压值不断增大，第一N型偏置MOS管N1的Vds越来越大，衬底漏电流越来越严重，因此相同的电压变化引起的电流变化越来越大，相当于偏置区的等效阻抗越来越小，AB类放大器的放大倍数也越来越小。对一个典型的AB类运放工作电路，如图6所示。Vo＝-Av*Va；Vni＝Va-Vb其中，增益为Av，输入电阻为R1，反馈电阻为R2，Vni为等效噪声R1的噪声，R2的噪声，运放的输入噪声等，Vo为输出噪声。因此，计算可得：当AB类放大器增益Av是正数时，随着Av的降低，Vo越来越小；当Av是负数的时候，有一个极值点，Av＝－β＝－R1+R2R1，Av趋向极值点时，Vo急剧变差此时环路增益为Av*1β＝－1，形成正反馈。结合前面AB类放大器偏置区在电源VDD的电压值增大后相位反转、增益降低的现象，当电源VDD的电压值增大后，如图7所示，AB类放大器的底噪会逐渐增大，并且会出现一个极值，严重的影响了AB类放大器的工作范围。由于这个问题，AB类放大器在电压较高的应用中受到困扰，同时由于衬底漏电流的大小与工艺相关，不同批次的衬底漏电流情况也不尽相同，只能缩小其应用范围，保证工作的正确。为了解决这个问题，需要消除掉正反馈的现象，可以采用特别的MOS器件，如高压器件或者特别开发的减小衬底电流的器件。但这种方式会带来成本的提升，降低产品的竞争力。本发明基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器的实施例，如图8所示，包括：MOS管输出模块，包括接入第一偏置电压VPG的第一端口和接入第二偏置电压VNG的第二端口；MOS管偏置控制模块，包括第一N型偏置MOS管N1、第二N型偏置MOS管N2，第一P型偏置MOS管P1、第二P型偏置MOS管P2；所述第二P型偏置MOS管P2分别与所述第一N型偏置MOS管N1和第一P型偏置MOS管P1串联输出所述第一偏置电压VPG；所述第二N型偏置MOS管N2分别与所述第一N型偏置MOS管N1和第一P型偏置MOS管P1串联输出所述第二偏置电压VNG；其中，所述第一N型偏置MOS管N1与所述第二P型偏置MOS管P2之间串联若干个N型限压MOS管NB1，…，NBn，所述第一P型偏置MOS管P1与所述第二N型偏置MOS管N2之间串联若干个P型限压MOS管PB1，…，PBm。所述MOS管输出模块包括：P型输出MOS管P0和N型输出MOS管N0；所述P型输出MOS管P0的源极S与电源VDD连接，所述P型输出MOS管P0与所述N型输出MOS管N0共漏极D并作为AB类放大器的输出端，所述N型输出MOS管N0的源极S接地；其中，所述第一端口为所述P型输出MOS管P0的栅极G，所述第二端口为所述N型输出MOS的栅极G。所述第二P型偏置MOS管P2的栅极G作为AB类放大器的第一输入端，所述第二P型偏置MOS管P2的源极S与电源VDD连接，所述第二P型偏置MOS管P2的漏极D分别与所述第一P型偏置MOS管P1的源极S、所述第一N型偏置MOS管N1的漏极D和所述P型输出MOS管P0的栅极G连接；所述第一P型偏置MOS管P1的源极S与所述P型输出MOS管P0的栅极G连接，漏极D与所述N型输出MOS管N0的栅极G连接；所述第一N型偏置MOS管N1的漏极D与所述P型输出MOS管P0的栅极G连接，源极S与所述N型输出MOS管N0的栅极G连接；所述第二N型偏置MOS管N2的栅极G作为AB类放大器的第二输入端，所述第二N型偏置MOS管N2的漏极D分别与所述第一N型偏置MOS管N1的源极S、所述第一P型偏置MOS管P1的漏极D和所述N型输出MOS管N0的栅极G连接，所述第二N型偏置MOS管N2的的源极S接地；与所述第一N型偏置MOS管N1相邻的N型限压MOS管NB1的源极S与所述第一N型偏置MOS管N1的漏极D连接，与所述第二P型偏置MOS管P2相邻的N型限压MOS管NBn与所述第二P型偏置MOS管P2共漏极D；与所述第一P型偏置MOS管P1相邻的P型限压MOS管PB1的源极S与所述第一P型偏置MOS管P1的漏极D连接，与所述第二N型偏置MOS管N2相邻的P型限压MOS管PBm与所述第二N型偏置MOS管N2共漏极D。具体的，当串联一个N型限压MOS管时，N型限压MOS管NB1既与第一N型偏置MOS管NB1相邻，也与第二P型偏置MOS管P2相邻，即N型限压MOS管NB1的源极S与所述第一N型偏置MOS管N1的漏极D连接，N型限压MOS管NB1的漏极D分别与第二P型偏置MOS管P2的漏极D，第一P型偏置MOS管P1的源极S和P型输出MOS管P0的栅极G连接。当串联两个或者两个以上的N型限压MOS管时，N型限压MOS管NB1的源极S与所述第一N型偏置MOS管N1的漏极D连接，N型限压MOS管NB1的漏极D与N型限压MOS管NBn的源极S连接，N型限压MOS管NBn的漏极D分别与第二P型偏置MOS管P2的漏极D，第一P型偏置MOS管P1的源极S和P型输出MOS管P0的栅极G连接。其中，n大于等于2。同理，在第一P型偏置MOS管P1与所述第二N型偏置MOS管N2之间串联若干个P型限压MOS管PB1，…，PBm亦是如此，在此不再一一赘述。通过在第一N型偏置MOS管N1、第一P型偏置MOS管P1上叠加MOS管，限制第一N型偏置MOS管N1、第一P型偏置MOS管P1的Vds即源漏电压。以图8为参考，以串联一级P型限压MOS管PB1进行说明，在第一P型偏置MOS管P1的漏极D串联P型限压MOS管PB1，则第一P型偏置MOS管P1的漏极电压VDP1由P型限压MOS管PB1的栅压VBP1和P型限压MOS管PB1的阈值Vthp决定，即VDP1＝VBP1-Vthp。在没有串联限压MOS管的时候，第一P型偏置MOS管P1的源漏电压Vds＝VPG-VNG，因此第一P型偏置MOS管P1的源漏电压Vds较大时，会引起明显的衬底漏电，从而引起底噪的增大。串联限压器件即P型限压MOS管PB1后，第一P型偏置MOS管P1的源漏电压Vds＝VPG-VBP1-Vthp，通过设置适当的VBP1电压，使得第一P型偏置MOS管P1的源漏电压降低，不会引起明显的衬底漏电，从而避免了底噪的增大。此处只例举了串联一个P型限压MOS管，对于串联一个以上P型限压MOS管进行限压降低第一P型偏置MOS管P1的源漏电压在此不再一一赘述。此外，对于串联N型限压MOS管实现降低第一N型偏置MOS管N1的源漏电压在此也不再详细描述，降低第一N型偏置MOS管N1的源漏电压的原理与上述P型限压MOS管降低第一P型偏置MOS管P1的源漏电压的原理一致。从而针对目前AB类放大器中高电源电压时底噪异常的问题，消除了偏置区MOS器件的衬底漏电流，解决了高电源电压底噪异常的问题，提升了应用中的工作范围。采用了本发明方法后，底噪如图9所示，可以看到，高电源电压情况下的底噪得到了很好的控制。需要特别注意VBNn及VBPm的选择，使第一N型偏置MOS管N1、第一P型偏置MOS管P1工作在合理的工作范围。以第一N型偏置MOS管N1为例，如果该工艺中Vds_nmos2V时，NMOS的衬底漏电流可以忽略，则VBNn＝第二偏置电压VNG+2*n+Vth_nmos。同理，如果该工艺中Vds_pmos2V时，PMOS的衬底漏电流可以忽略，则VBPm＝第一偏置电压VPG-2*n-Vth_pmos。需要注意的是，当电源电压不断提高的时候，虽然第一N型偏置MOS管N1、第一P型偏置MOS管P1的衬底漏电流可以忽略，但限压MOS管NB，PB可能会产生较大的衬底漏电流，仍然会出现异常正反馈的现象，此时需要串联更多的限压MOS管，保证所有的MOS管都不会产生较大的衬底漏电流。应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

权利要求：1.一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器，其特征在于，包括：MOS管输出模块，包括接入第一偏置电压的第一端口和接入第二偏置电压的第二端口；MOS管偏置控制模块，包括第一N型偏置MOS管、第二N型偏置MOS管，第一P型偏置MOS管、第二P型偏置MOS管；所述第二P型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第一偏置电压；所述第二N型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第二偏置电压；其中，所述第一N型偏置MOS管与所述第二P型偏置MOS管之间串联若干个N型限压MOS管，所述第一P型偏置MOS管与所述第二N型偏置MOS管之间串联若干个P型限压MOS管。2.根据权利要求1所述的基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器，其特征在于，所述MOS管输出模块包括：P型输出MOS管和N型输出MOS管；所述P型输出MOS管的源极与电源连接，所述P型输出MOS管与所述N型输出MOS管共漏极并作为AB类放大器的输出端，所述N型输出MOS管的源极接地；其中，所述第一端口为所述P型输出MOS管的栅极，所述第二端口为所述N型输出MOS的栅极。3.根据权利要求2所述的基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器，其特征在于，所述MOS管偏置控制模块包括：所述第二P型偏置MOS管的栅极作为AB类放大器的第一输入端，所述第二P型偏置MOS管的源极与电源连接，所述第二P型偏置MOS管的漏极分别与所述第一P型偏置MOS管的源极、所述第一N型偏置MOS管的漏极和所述P型输出MOS管的栅极连接；所述第一P型偏置MOS管的源极与所述P型输出MOS管的栅极连接，漏极与所述N型输出MOS管的栅极连接；所述第一N型偏置MOS管的漏极与所述P型输出MOS管的栅极连接，源极与所述N型输出MOS管的栅极连接；所述第二N型偏置MOS管的栅极作为AB类放大器的第二输入端，所述第二N型偏置MOS管的漏极分别与所述第一N型偏置MOS管的源极、所述第一P型偏置MOS管的漏极和所述N型输出MOS管的栅极连接，所述第二N型偏置MOS管的的源极接地；与所述第一N型偏置MOS管相邻的N型限压MOS管的源极与所述第一N型偏置MOS管的漏极连接，与所述第二P型偏置MOS管相邻的N型限压MOS管与所述第二P型偏置MOS管共漏极；与所述第一P型偏置MOS管相邻的P型限压MOS管的源极与所述第一P型偏置MOS管的漏极连接，与所述第二N型偏置MOS管相邻的P型限压MOS管与所述第二N型偏置MOS管共漏极。

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