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申请/专利权人：广州润芯信息技术有限公司
摘要：本发明提供一种片上MOS管工艺偏差检测电路，包括节点充放电电路、比较器、触发器，节点充放电电路与比较器的输入端连接，比较器的输出端与触发器连接。本发明涉及一种片上MOS管工艺偏差检测芯片。本发明使用MOS管电容代替一般的金属电容，使MOS管的检测结果不受金属电容工艺偏差影响；使用对电源MOS管电容和对地MOS管电容相互补偿，不引入额外的非线性因素，简化参数选择条件；使用比较器代替反相器，同步触发器的D端和CLK端信号，避免因不同工艺角时延迟不同导致D端数据错过下降沿的问题，保证了工艺偏差检测的正确性。
主权项：1.一种片上MOS管工艺偏差检测电路，其特征在于：包括节点充放电电路、比较器、触发器，所述节点充放电电路与所述比较器的输入端连接，所述比较器的输出端与所述触发器连接；所述节点充放电电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管，所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极与锁相环的时钟信号引脚、所述比较器连接，所述第一MOS管的源极、所述第三MOS管的源极和漏极接器件内部的工作电压，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的源极、所述第四MOS管的栅极接电路公共接地端电压，所述第四MOS管的源极和漏极与所述第三MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极连接处与所述比较器连接，所述第三MOS管的栅极与所述第四MOS管的源极和漏极连接处与所述比较器连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州润芯信息技术有限公司 一种片上MOS管工艺偏差检测电路及芯片
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