龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种MOS功率半导体器件，包括由若干个VDMOS元胞构成的MOS半导体器件，所述VDMOS元胞包括漏极、源极、栅极以及碳化硅外延层，其中单个所述VDMOS元胞之间的栅极相互并联连接；所述VDMOS元胞的碳化硅外延层由衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层构成；其中，所述P阱层包括纯净P阱二、重掺杂P阱层一、重掺杂P阱层二、轻掺杂P阱层二、重掺杂P阱层三和轻掺杂P阱层三；所述N阱层包括重掺杂N阱层一和轻掺杂N阱层一。本发明通过在相邻P阱层之间离子注入形成N型延续层，并且N型延续层的掺杂浓度由中间向两侧逐渐增大，直至与重掺杂N阱层一的掺杂浓度相同，该设计可以降低电荷沟道的导通电阻，提高半导体外延层对栅极电压峰值的耐受性。
主权项：1.一种MOS功率半导体器件，其特征在于，包括由若干个VDMOS元胞构成的MOS半导体器件，所述VDMOS元胞包括漏极1、源极5、栅极6以及碳化硅外延层，其中单个所述VDMOS元胞之间的栅极6相互并联连接；所述VDMOS元胞的碳化硅外延层由衬底层2、扩散层3、P阱层以及N阱层构成；其中，所述P阱层包括纯净P阱二10、重掺杂P阱层一11、重掺杂P阱层二12、轻掺杂P阱层二13、重掺杂P阱层三14和轻掺杂P阱层三19；所述N阱层包括重掺杂N阱层一8和轻掺杂N阱层一9；单个所述VDMOS元胞的衬底层2采用中间过量两侧少量的离子注入形成，其衬底层2的截面轮廓呈中间凸起两侧低洼形状；所述衬底层2的中间凸起区域采用离子注入形成有三个等间距的轻掺杂P阱层一4，其中轻掺杂P阱层一4与漏极1之间欧姆接触；所述扩散层3的内部且位于相邻P阱层之间离子注入形成有纵向分布的N型延续层，其中N型延续层包括位于中间的轻掺杂N阱层三18，以及围绕轻掺杂N阱层三18两两对称分布的轻掺杂N阱层三17、重掺杂N阱层三16和重掺杂N阱层二15。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种MOS功率半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号