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申请/专利权人：武汉大学
摘要：本申请涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种降低铜基硅通孔热应力的填充方法，其包括S1：制作掩膜层和在基底材料表面制作出孔；S2：在孔内依次沉积绝缘层和阻挡层；S3：在阻挡层上溅射负膨胀系数材料作为缓冲层；S4：在缓冲层上沉积铜种子层，再通过电镀法制备铜填充层将孔填充；S5：抛光去除基底材料表面多余的金属。本申请利用负热膨胀系数材料的热缩冷胀物理特性作为缓冲，抵消硅和铜的热胀冷缩，从而降低铜和周围硅结构的热应力。
主权项：1.一种降低铜基硅通孔热应力的填充方法，其特征在于，包括：S1：制作掩膜层和在基底材料表面制作出孔；S2：在孔内依次沉积绝缘层和阻挡层；S3：在阻挡层上溅射负膨胀系数材料作为缓冲层；S4：在缓冲层上沉积铜种子层，再通过电镀法制备铜填充层将孔填充；S5：抛光去除基底材料表面多余的金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉大学 一种降低铜基硅通孔热应力的填充方法
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