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申请/专利权人：德宏鑫禾农业科技开发有限责任公司
摘要：本发明公开的一种兰科石斛景观种植方法，包括如下步骤：将石斛种子杀菌后在栽培基质上培养，进行浇灌施肥，直至发芽，将其切段、消毒，离体培养，待茎段上长出新芽，将新芽切下，接种在培养基中长成丛生芽，将丛生芽切成单苗继续进行培养，待具有2～4片真叶时，进行生根后，在4月上旬将需要培育的石斛移栽在种植容器中，种植好的石斛放置于室内，培育养殖2年。本发明属于石斛种植技术领域，本发明提供一种兰科石斛景观种植方法，延长石斛的生长周期，提高石斛移栽成活率，解决开花困难，花期短，长势较差、花朵品质差甚至不开花，无法达到观赏价值的问题。
主权项：1.一种兰科石斛景观种植方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：将石斛种子放置在散光处晒凉三个小时，以杀死表面的细菌，然后浸泡在高锰酸钾溶液中3-5分钟；步骤二：将种子均匀种植在栽培基质上，种植后即用喷雾装置进行喷雾化水，使栽培基质保持湿润，顶起施肥喷雾施加营养液，直至发芽成株；步骤三：将其切成长度为1～2cm的茎段，每个茎段上都带有1～2个腋芽，用自来水冲洗干净，放入75％的酒精中浸泡20～40s，再用0.1％的升汞消毒10min，最后用无菌水冲洗5～8次，在超净工作台上将上述准备好的茎段放入已灭过菌的基本培养基中，进行离体培养，待茎段上长出新芽，将新芽切下，接种在培养基中长成丛生芽，将丛生芽切成单苗继续进行培养，待单苗长到2～4cm，具有2～4片真叶时，将其转到生根培养基中进行生根培养，当根系长到3～5cm时，在4月上旬将需要培育的石斛移栽在种植容器中；步骤四：种植好的石斛放置于室内，室温控制在15℃-25℃，培育养殖2年。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德宏鑫禾农业科技开发有限责任公司 一种兰科石斛景观种植方法
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