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申请/专利权人：贵州省植物园;贵州梵净山国家级自然保护区管理局

摘要：本发明公开了一种梵净山石斛快速繁殖方法，涉及梵净山石斛繁殖技术领域，包括两套梵净山石斛快速繁殖体系；体系一：以种子为外植体快速繁殖体系：1.1蒴果消毒、1.2种子萌发及原球茎诱导、1.3.1原球茎增殖、1.3.2无菌小苗增殖、1.4生根壮苗培养；体系二：以带节茎段为外植体快速繁殖体系：2.1茎段消毒和接种、2.2腋芽诱导、2.3不定芽诱导和增殖、2.4生根壮苗培养；本发明采用种子和带节茎段为外植体进行组培快繁，繁殖材料易获得，茎段采集不受季节约束，四季皆宜，环境条件容易控制，解决了梵净山石斛繁殖难、种苗参差不齐等问题，具有广阔的市场前景和研究价值。

主权项：1.一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：包括两套梵净山石斛快速繁殖体系；体系一：以种子为外植体快速繁殖体系：包括蒴果消毒、种子萌发及原球茎诱导、原球茎增殖、无菌小苗增殖、生根壮苗培养步骤；体系二：以带节茎段为外植体快速繁殖体系：包括茎段消毒和接种、腋芽诱导、不定芽诱导和增殖、生根壮苗培养步骤；所述生根壮苗培养的培养基配方为MS+0.5mgLNAA+1mgLIBA+7gL琼脂+25gL蔗糖，或者：MS+0.5mgLNAA+0.1mgLIBA+7gL琼脂+25gL蔗糖，或者：MS+0.5mgLNAA+0.5mgLIBA+7gL琼脂+25gL蔗糖，培养基灭菌调节为pH5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照强度1500～2000lx；所述腋芽诱导所用的培养基配方为12MS+0.5mgL6-BA+0.2mgLNAA+7gL琼脂+25gL蔗糖，或者：B5+0.5mgL6-BA+0.2mgLNAA+7gL琼脂+25gL蔗糖，培养基灭菌调节为pH5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照强度1500～2000lx；所述不定芽诱导和增殖所用的培养基配方为：12MS+0.5mgLNAA+1mgL6-BA+7gL琼脂+25gL蔗糖，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照强度1500～2000lx。

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