买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：电子科技大学(深圳)高等研究院;中国电子科技集团公司第五十四研究所

摘要：本发明公开了一种低应力太赫兹RFMEMS开关，属于射频微机电系统技术领域，包括：背覆金属；衬底；共面波导信号线；共面波导地；下电极；梁锚点；上金属梁锚点；上金属梁，和所述上金属梁锚点通过圆弧相接；上金属电极；信号桥；裙边梁；电极介质层；直流馈电结构；空气桥。本发明达到了技术效果：使用裙边梁结构，开关下拉变形后应力分布均匀，减小开关翘曲变形；梁中通过圆弧相接，无应力集中，具有低驱动电压；圆弧相接增大了相接处长度，减小开关循环造成的断裂风险，提高开关疲劳寿命；采用复合梁结构，使得电极和信号桥分离，减少直流电对射频信号的干扰；开关在太赫兹频段具有较好隔离度和低插入损耗。

主权项：1.一种低应力太赫兹RFMEMS开关，其特征在于，包括：背覆金属1；衬底2，其在背覆金属1上表面；共面波导地4，形成于所述衬底2上表面；共面波导信号线3，形成于所述衬底2上表面，并位于共面波导地4围成的区域内；下电极5，形成于所述衬底2上表面，位于所述共面波导信号线3两侧，且在所述共面波导地4围成的区域内；梁锚点6，设有两个，均形成于所述共面波导地4上表面，分别位于下电极5两侧；其近所述共面波导信号线3一侧为圆角结构；上金属梁锚点7，设有两个，分别形成于所述梁锚点6上；上金属梁8，和对应的上金属梁锚点7通过圆弧相接且为同一平面，分别位于所述共面波导信号线3两侧，每一上金属梁至少包含一个环形结构；上金属电极9，位于下电极5上方，和对应的上金属梁8通过圆弧连接且为同一平面，位于所述共面波导信号线3两侧；信号桥10，位于所述共面波导信号线3上方，和所述上金属电极9在同一平面，且位于两上金属电极9之间；裙边梁11，位于上金属梁锚点6、上金属梁8和上金属电极9上方且包覆这三者，其横跨所述共面波导信号线3；电极介质层12，位于所述下电极5和所述上金属电极9之间；直流馈电结构，形成于所述衬底2上，其接地高阻线间接接上金属电极，电极高阻线接下电极，；空气桥，形成于所述共面波导地4上，用于供直流馈电结构穿过。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学(深圳)高等研究院 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种低应力太赫兹RF MEMS开关