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申请/专利权人：西北工业大学
摘要：本发明公开了一种层状SnSe晶体材料及其制备方法，以Sn粉和Se粉为原料，I2颗粒为传输剂，采用化学气相传输法进行层状SnSe晶体材料的制备；具体的，生长容器为真空密闭石英管，石英管一端于高温区，另一端于低温区，原料和传输剂混合后位于高温区的石英管端内；以5～10℃min的升温速率进行升温，高温区升至640～700℃，低温区升至570～600℃，保温时间4～6天，随炉冷却至室温。本发明制备层状SnSe晶体的操作简单，生长周期短，可重复性高，产量大，得到的层状SnSe晶体形态均一，结晶性好，适用于多种常规的研究手段，弥补了化学气相传输制备层状SnSe晶体的空白。
主权项：1.一种层状SnSe晶体材料的制备方法，其特征在于，以Sn粉和Se粉为原料，I2颗粒为传输剂，采用化学气相传输法进行层状SnSe晶体材料的制备；具体的，生长容器为真空密闭石英管，石英管一端于高温区，另一端于低温区，原料和传输剂混合后位于高温区的石英管端内；以5～10℃min的升温速率进行升温，高温区升至640～700℃，低温区升至570～600℃，保温时间4～6天，随炉冷却至室温。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北工业大学 一种层状SnSe晶体材料及其制备方法
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