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申请/专利权人：三星显示有限公司
摘要：一种晶体管基底可以包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一缓冲层，设置在基底的第一区域上，并且包括氮化硅；第二缓冲层，设置在第二区域和第一缓冲层的第一区域上，并且包括氧化硅；第一晶体管，布置在第二缓冲层的第一区域上，并且包括第一氧化物半导体层和与第一氧化物半导体层叠置的第一栅电极；以及第二晶体管，布置在第二缓冲层的第二区域上，并且包括第二氧化物半导体层和与第二氧化物半导体层叠置的第二栅电极。
主权项：1.一种晶体管基底，所述晶体管基底包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一缓冲层，在所述基底上设置在所述第一区域中而不设置在所述第二区域中，并且包括氮化硅；第二缓冲层，在所述第一缓冲层上设置在所述第一区域和所述第二区域中，在所述第一区域和所述第二区域中具有平坦的顶表面，并且包括氧化硅；第一晶体管，在所述第二缓冲层上设置在所述第一区域中，并且包括第一氧化物半导体层和与所述第一氧化物半导体层叠置的第一栅电极；以及第二晶体管，在所述第二缓冲层上设置在所述第二区域中，并且包括第二氧化物半导体层和与所述第二氧化物半导体层叠置的第二栅电极，其中，所述第二缓冲层的在所述第一区域中的顶表面与所述第二缓冲层的在所述第二区域中的顶表面共面。
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权利要求：
百度查询： 三星显示有限公司 晶体管基底和包括晶体管基底的显示装置
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