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申请/专利权人:嘉庚创新实验室
摘要:本发明涉及二次电池技术领域,特别涉及一种SnSe0.5S0.5‑C纳米纤维的静电纺丝制备方法及其应用。本发明制备的SnSe0.5S0.5‑C纳米纤维直径均匀,从100nm到500nm可调,通过静电纺丝法实现对SnSe0.5S0.5进行充分包裹,制备的SnSe0.5S0.5被原位封装在碳纳米纤维中,且SnSe0.5S0.5达到了纳米级别,不存在颗粒团聚的现象,对于缓解嵌Li过程产生的体积膨胀具有良好的缓冲效果,作为电池负极材料,能够显著提高电池的电化学性能。
主权项:1.一种SnSe0.5S0.5-C纳米纤维的静电纺丝制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S100、将Sn源、Se源和S源按摩尔比1:0.5:0.5~1的比例进行研磨混合,得到混合物A;S200、将混合物A和溶剂混合并搅拌,得到混合溶液,再加入聚合物,得到溶液B;S300、将溶液B搅拌2~6h,得到静电纺丝前驱体溶液C;S400、将前驱体溶液C转移至静电纺丝用注射器中,在静电纺丝装置上进行纺丝,收集产物,将产物进行干燥、预氧化和碳化处理,即得到SnSe0.5S0.5-C纳米纤维。
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权利要求:
百度查询: 嘉庚创新实验室 一种SnSe0.5S0.5-C纳米纤维的静电纺丝制备方法及其应用
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