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申请/专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299443A
主分类号：H01L31/0352
分类号：H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18;H01L31/102
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请涉及红外探测器技术领域，特别涉及一种Cu2CdxZn1‑xSnSe4短波红外探测器的底部钝化阻挡层及其制备方法，该钝化阻挡层位于硅钼上；硅钼包括衬底以及叠层设置在衬底上的双层电极层；钝化阻挡层位于双层电极层远离衬底的一侧，且钝化阻挡层上开设有呈阵列排布的开口结构。本申请通过在硅钼上制备钝化阻挡层，以降低CCZTSe吸收层和金属底电极之间的背接触势垒，同时利用紫外曝光技术对衬底进行图形化处理，以及利用湿法刻蚀技术对图形化后的衬底进行刻蚀，在不同厚度的底部钝化阻挡层上形成不同尺寸的有序的电流传输通道，有效的降低载流子在界面处的复合，提高载流子的收集效率，从而有利于有效降低CCZTSe短波红外探测器的暗电流，提高红外探测器的探测性能。
主权项：1.一种Cu2CdxZn1-xSnSe4短波红外探测器的底部钝化阻挡层，其特征在于，所述钝化阻挡层位于硅钼上；所述硅钼包括衬底以及叠层设置在所述衬底上的双层电极层；所述钝化阻挡层位于所述双层电极层远离所述衬底的一侧，且所述钝化阻挡层上开设有呈阵列排布的开口结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院深圳先进技术研究院 一种Cu2CdxZn1-xSnSe4短波红外探测器的底部钝化阻挡层及其制备方法
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