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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种具有快轴模式控制结构的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。外延片包括衬底，衬底上由下至上依次设置有缓冲层、N限制层、下波导层、Alx3Ga1‑x3As下载流子泄露抑制层、Alx4Ga1‑x4As下模式控制层、量子阱层、Alx5Ga1‑x5As上模式控制层、Alx6Ga1‑x6As上载流子泄露抑制层、上波导层、P限制层和欧姆接触层。本发明在量子阱上下增加模式控制层和载流子泄露抑制层，通过优化模式控制层和载流子泄露抑制层的带隙、增益、折射率分布、模式强度、限制因子，将基模强度提升，并且降低一阶模、二阶模强度，在不改变量子阱位置的情况下，实现基膜稳定激射。
主权项：1.一种具有快轴模式控制结构的GaAs大功率激光器外延片，其特征在于，包括衬底，衬底上由下至上依次设置有缓冲层、N限制层、下波导层、Alx3Ga1-x3As下载流子泄露抑制层、Alx4Ga1-x4As下模式控制层、量子阱层、Alx5Ga1-x5As上模式控制层、Alx6Ga1-x6As上载流子泄露抑制层、上波导层、P限制层和欧姆接触层；0.1≤x3≤0.9，0.1≤x6≤0.9，Alx4Ga1-x4As下模式控制层由若干组叠层叠加组成，每组叠层由下到上依次包括Al0.08Ga0.92As层、石墨烯层、Al0.12Ga0.88As层和石墨烯层，Alx5Ga1-x5As上模式控制层与Alx4Ga1-x4As下模式控制层结构相同。
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百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种具有快轴模式控制结构的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法
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