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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于陶瓷封装材料技术领域，具体为一种与GaAs半导体热匹配的电子封装陶瓷材料及其制备方法，分子式为ZnAl2‑xBxO40.02≤x≤0.08。本发明在ZnAl2O4陶瓷良好介电性能的基础上，利用B3+取代价态相同且半径相近的Al3+，通过B3+对Al3+的纯相取代，提升了该陶瓷的微波介电性能和CTE，进而作为高频、大功率和超大规模集成电路中GaAs半导体热匹配的电子封装陶瓷材料。其中，优选x＝0.04，1300℃预烧，1450℃烧结时得到的ZnAl1.96B0.04O4陶瓷，微波介电性能和CTE：εr＝8.3、Q×f＝68586GHz、τf＝‑46.5ppm℃、CTE＝7.21×10‑6K‑1。
主权项：1.一种与GaAs半导体热匹配的电子封装陶瓷材料，其特征在于：分子式为ZnAl2-xBxO4，0.02≤x≤0.08；采用固相反应法将各元素组分原料先在1200℃～1300℃预烧，压制成型后再于1425℃～1475℃下烧结制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种与GaAs半导体热匹配的电子封装陶瓷材料及其制备方法
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