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申请/专利权人：微芯片技术股份有限公司
摘要：本发明提供了一种用于在包括IC元件例如，存储器部件的集成电路IC中形成薄膜电阻器TFR的方法。在IC元件之上形成第一接触蚀刻停止层。包括TFR蚀刻停止层、TFR膜层和第二接触蚀刻停止层的TFR层叠堆形成在第一接触蚀刻停止层之上，并且在一些情况下形成在一个或多个金属前介电层之上。在IC叠堆之上形成图案化掩模，并且穿过第一接触蚀刻停止层和第二接触蚀刻停止层两者蚀刻叠堆，以同时形成a暴露IC元件的接触区域的第一接触开口和b暴露TFR膜层的第二接触开口。第一接触开口和第二接触开口填充有导电材料，以形成到IC元件的导电接触件和到TFR膜层的导电接触件。
主权项：1.一种形成包括薄膜电阻器TFR的集成电路IC结构的方法，所述方法包括：在半导体衬底之上形成至少一个IC元件，所述至少一个IC元件具有至少一个IC元件接触区域；在所述至少一个IC元件之上形成第一接触蚀刻停止层；在所述第一接触蚀刻停止层上方在金属前介电区中形成TFR层叠堆并且所述TFR层叠堆从所述至少一个IC元件接触区域侧向偏移，其中形成所述TFR层叠堆包括：形成TFR膜层，以及在所述TFR膜层之上形成第二接触蚀刻停止层；对所述TFR膜层进行退火以将所述TFR膜层的电阻温度系数值朝着零来调节；形成图案化掩模，所述图案化掩模包括在所述至少一个IC元件接触区域之上对准的至少一个第一掩模开口和在所述TFR层叠堆之上对准的至少一个第二掩模开口；穿过所述第一掩模开口和所述第二掩模开口并穿过所述集成电路IC结构的部分来执行至少一次蚀刻，以同时形成a暴露所述至少一个IC元件接触区域的至少一个第一接触开口和b暴露所述TFR膜层的至少一个第二接触开口，所述穿过所述集成电路IC结构的部分包括穿过所述第一接触蚀刻停止层和所述第二接触蚀刻停止层两者；以及用导电材料填充所述至少一个第一接触开口和所述至少一个第二接触开口，以形成到所述至少一个IC元件的至少一个导电接触件和到所述TFR膜层的至少一个导电接触件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 微芯片技术股份有限公司 在集成电路器件中形成薄膜电阻器（TFR）
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