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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于半导体材料层上方；和存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构延伸穿过该交替堆叠中的一者。横向起伏的背侧沟槽存在于交替堆叠之间，并且包括直沟槽段和隆突沟槽段的横向交替序列。含腔体介电填充结构和接触通孔结构存在于该横向起伏的背侧沟槽中。该接触通孔结构位于该隆突沟槽段内。该接触通孔结构与该交替堆叠的侧壁自对准。附加接触通孔结构可竖直延伸穿过该绝缘层和横向邻接该交替堆叠中的一者的介电间隔物层的子集的介电交替堆叠。
主权项：1.一种三维存储器器件，包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠位于半导体材料层上方；存储器堆叠结构组，所述存储器堆叠结构组延伸穿过位于存储器阵列区内的选自所述交替堆叠的第一交替堆叠；横向起伏的背侧沟槽，所述横向起伏的背侧沟槽位于所述交替堆叠的相邻对之间并且沿着第一水平方向横向延伸，其中所述横向起伏的背侧沟槽中的每一者包括具有均匀沟槽宽度的直沟槽段和具有大于所述均匀沟槽宽度的可变沟槽宽度的隆突沟槽段的横向交替序列；含腔体介电填充结构，所述含腔体介电填充结构位于所述横向起伏的背侧沟槽中的相应一者内，其中所述含腔体介电填充结构中的每一者在所述横向起伏的背侧沟槽中的所述相应一者内在隆突沟槽段的每个区内包括竖直延伸腔体，并且所述竖直延伸腔体中的每一者与相应的隆突沟槽段的侧壁横向间隔开均匀横向宽度；和接触通孔结构，所述接触通孔结构位于所述含腔体介电填充结构的所述竖直延伸腔体内并且延伸穿过所述半导体材料层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 包含位于横向起伏的沟槽中的眼形接触通孔结构的三维存储器器件及其制造方法
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