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申请/专利权人：广西师范大学
摘要：本发明公开了基于铬的光栅型超宽带极化不敏感完美吸收器及制备方法，所述完美吸收器包括由下向上依次叠接的金属铬材料衬底层、非金属硅材料光栅结构底层、金属铬材料吸收层和非金属硅材料光栅结构顶层，其中，金属铬材料吸收层由光栅型结构的半导体介质材料硅所包围，非金属硅材料光栅结构顶层、金属铬材料吸收层、非金属硅材料光栅结构底层构成硅‑铬‑硅的薄膜结构的光栅型结构、非金属硅材料光栅结构顶层、金属铬材料吸收层、非金属硅材料光栅结构底层和金属铬材料衬底层构成微纳结构单元。这种完美吸收器具有结构简单、吸收效率高、吸收工作波段宽、极化不敏感特性，制备这种美吸收器方法工艺简单。
主权项：1.一种基于铬的光栅型超宽带极化不敏感完美吸收器，其特征在于，包括由下向上依次叠接的金属铬材料衬底层、非金属硅材料光栅结构底层、金属铬材料吸收层和非金属硅材料光栅结构顶层，其中，金属铬材料吸收层由光栅型结构的半导体介质材料硅所包围，金属材料衬底层采用的材质为金属铬Cr为耐腐蚀、耐氧化、耐高温材料、厚度不小于200nm，非金属硅材料光栅结构顶层硅介质层厚度h1=115nm，金属铬材料吸收层厚度h2为40nm-80nm，金属铬材料衬底层硅介质层厚度h3=130nm，非金属硅材料光栅结构顶层、金属铬材料吸收层、非金属硅材料光栅结构底层构成硅-铬-硅的薄膜结构的光栅型结构、所述光栅型结构宽度为w为220nm-180nm，非金属硅材料光栅结构顶层、金属铬材料吸收层、非金属硅材料光栅结构底层和金属铬材料衬底层构成微纳结构单元周期p为300nm-400nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广西师范大学 基于铬的光栅型超宽带极化不敏感完美吸收器及制备方法
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