首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种具有手性选择的太赫兹近完美吸收器 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:青岛大学

摘要:本发明公开了一种具有手性选择的太赫兹近完美吸收器,其包括垂直于太赫兹波入射方向的周期为2μm×2μm的结构单元,所述结构单元沿太赫兹波入射方向从上到下依次包括第一单层石墨烯条带、第一二氧化硅隔离层、第二单层石墨烯条带、第二二氧化硅隔离层、金反射层和单晶硅衬底,其中,第一单层石墨烯条带长、宽分别为l1=2μm,w1=1.7μm,第二单层石墨烯条带长、宽分别为l2=1.9μm,w2=0.5μm,第二单层石墨烯条带相对第一单层石墨烯条带左倾斜45°设置。其可以实现手性吸收,具有较好的圆二色性。通过在第一、第二单层石墨烯条带上施加电压,在保证较大圆二色性的同时实现工作频率较大范围的调控。

主权项:1.一种具有手性选择的太赫兹近完美吸收器,其特征在于,包括垂直于太赫兹波入射方向的周期为2μm×2μm的结构单元,所述结构单元沿太赫兹波入射方向从上到下依次包括第一单层石墨烯条带、第一二氧化硅隔离层、第二单层石墨烯条带、第二二氧化硅隔离层、金反射层和单晶硅衬底,其中,第一单层石墨烯条带长、宽分别为l1=2μm,w1=1.7μm,第二单层石墨烯条带长、宽分别为l2=1.9μm,w2=0.5μm,第二单层石墨烯条带相对第一单层石墨烯条带左倾斜45°设置;第一直流电源11和第二直流电源12的电压均为28.2V时,所述第一二氧化硅隔离层的厚度为5.88μm、第二二氧化硅隔离层的厚度为5.88μm,吸收器的圆二色性为85%。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 青岛大学 一种具有手性选择的太赫兹近完美吸收器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

相关技术
相关技术
相关技术
相关技术