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申请/专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江晶盛光子科技有限公司
摘要：本发明提供了一种PECVD沉积BSG‑硼源层制备硼发射极的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述PECVD沉积的温度为250‑500℃，压力为800‑3000mTorr，工艺气体包括SiH4、B2H6和N2O，稀释气体包括Ar、H2或N2中的任意一种或至少两种的组合。本发明提供的方法特别适用于大尺寸电池在大管径的PECVD设备上沉积BSG，提升了硼掺杂均匀性及掺杂浓度，降低了表面BSG层去除难度，改善了钝化效果，同时简化了工艺流程，提高了生产效率，有利于大规模推广应用。
主权项：1.一种PECVD沉积BSG-硼源层制备硼发射极的方法，其特征在于，所述方法包括依次进行的硅片预处理、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述PECVD沉积的温度为250-500℃，压力为800-3000mTorr，时间为0.1-8000s，功率为5000-30000W，脉冲开关比为1100-15，电源频率为40-200kHz，工艺气体包括0.1-1slm的SiH4、0.1-1slm的B2H6和0.1-1slm的N2O，稀释气体包括0.01-1slm的Ar、0.01-1slm的H2或2-10slm的N2中的任意一种或至少两种的组合；所述方法适用于182mm系列或210mm系列电池在520mm或540mm管径的PECVD设备上沉积BSG。
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权利要求：
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