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申请/专利权人：协鑫集成科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种TOPcon太阳能电池栅线结构及其制备方法，包括在制绒后直接激光开槽，为细栅预留隐藏位置；开槽后硼扩，槽体内形成多面PN结，且细栅激光辅助烧结后完美接触硅基体内PN结，降低接触电阻同时提高载流子收集概率；细栅顶部与主栅接触结构，保证载流子汇集到主栅位置；通过镀膜隐藏细栅，镀膜后印刷主栅的工艺流程，能够在正背面细栅数量不变的情况下，隐藏细栅的TOPCon电池结构；增强细栅与PN结接触面积，降低表面反射率，提高电池光电转换效率。
主权项：1.一种TOPcon太阳能电池栅线结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、硅片通过制绒槽双面制绒，利用激光图形化开槽，预留正面细栅位置和背面细栅位置；双插进行硼扩氧化工艺，形成正面PN结，并在正面形成BSG层；S2、在硅片的背面以及侧面形成绕扩的BSG，通过湿法酸槽链式机去除，在背面以及侧面形成绕扩的PN结，通过湿法碱抛槽式机去除；S3、通过双插背面LPCVD工艺，在硅片的背面沉积隧穿氧化层和poly层，再进行磷扩工艺，在硅片的背面形成磷扩P+层和PSG层；S4、在硅片的正面以及侧面形成绕扩的BSG，通过湿法酸槽链式机去除，正面沉积的poly绕镀、侧面沉积的poly绕镀、正面BSG与背面PSG通过湿法碱槽以及酸槽去除；S5、通过ALD方式镀氧化铝层；S6、将硅片的正面和背面镀氮化硅层；S7、在硅片的正面和背面进行细栅激光转印，将细栅浆料注入激光开槽区，并进行一次烧结；激光辅助烧结细栅，栅线与硅基体形成大面积欧姆接触，减少接触电阻；S8、将硅片的正面和背面镀氮化硅层，隐藏细栅栅线；S9、将硅片的正面和背面依次进行主栅印刷，并二次烧结，与细栅顶端接触，形成收集电路。
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权利要求：
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