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申请/专利权人：深圳技术大学
摘要：本发明公开了一种量子点转印方法及QLED制备方法，该转印方法包括：对第一量子点进行水处理和加热处理，得到难溶于极性与非极性溶剂的第二量子点；其中，所述第一量子点具有第一配体，第二量子点具有第二配体；将所述第一量子点制成第一薄膜，以及将所述第二量子点制成第二薄膜；通过转印头对所述第二薄膜进行第一次蘸取，并在第一次蘸取完成后继续对所述第一薄膜进行第二次蘸取；利用蘸取有第一薄膜和第二薄膜的转印头对受转印的基板进行印制。本发明将两种具有不同性质配体的量子点同时蘸取到转印头上，如此可以减少转印不同量子点所需的工艺步骤，为印制QLED‑倒置QLED或多色QLED层提供了一种更简便的方法，同时还可以降低QLED印制成本。
主权项：1.一种量子点转印方法，其特征在于，包括：对第一量子点进行水处理和加热处理，得到难溶于极性与非极性溶剂的第二量子点；其中，所述第一量子点具有第一配体，第二量子点具有第二配体；将所述第一量子点制成第一薄膜，以及将所述第二量子点制成第二薄膜；通过转印头对所述第二薄膜进行第一次蘸取，并在第一次蘸取完成后继续对所述第一薄膜进行第二次蘸取；利用蘸取有第一薄膜和第二薄膜的转印头对受转印的基板进行印制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳技术大学 一种量子点转印方法及QLED制备方法
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