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申请/专利权人：河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要：本发明提出了一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法，用以解决测量外延生长膜层厚度的误差较大的技术问题，包括以下步骤：将外延生长后的InP基晶圆使用光刻手段在晶圆表面涂胶并显影，使晶圆表面出现图形；利用低温ICPCVD技术在显影后的晶圆表面生长氧化硅掩膜，制备得到生长有氧化硅掩膜的晶圆；将晶圆浸泡在正胶剥离液中，得到胶膜剥离的晶圆；利用湿法腐蚀工艺对胶膜剥离的晶圆表面进行腐蚀；再次利用湿法腐蚀工艺对腐蚀后的晶圆表面进行腐蚀；腐蚀后的晶圆使用探针扫描式测量工具进行测量。本发明通过表面刻蚀的方法，能够通过实用精度更高的探针扫描式测量工具对外延层厚度对其测量，精确度可达0.1nm。
主权项：1.一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将外延生长后的InP基晶圆使用光刻手段在晶圆表面均匀涂胶并显影，使晶圆表面出现图形；（2）利用感应耦合等离子体-化学气相沉积技术在步骤（1）中显影后的晶圆表面生长氧化硅掩膜，制备得到生长有氧化硅掩膜的晶圆；（3）将步骤（2）生长有氧化硅掩膜的晶圆浸泡在正胶剥离液中，得到胶膜剥离的晶圆；（4）利用湿法腐蚀工艺对步骤（3）中胶膜剥离的晶圆表面进行腐蚀；（5）再次利用湿法腐蚀工艺对步骤（4）中腐蚀后的晶圆表面进行腐蚀；（6）将步骤（5）腐蚀后的晶圆使用探针扫描式测量工具进行测量；所述步骤（4）湿法腐蚀工艺中所用腐蚀液Ⅰ为体积比1：2：10的H2SO4、H2O2和H2O组成的混合溶液，或体积比H3PO4：HCl=5:2的溶液组成的混合溶液；腐蚀液Ⅰ的腐蚀速率为0.8-20nms；所述步骤（5）中湿法腐蚀工艺所用腐蚀液Ⅱ为氟化铵刻蚀液，腐蚀液Ⅱ的腐蚀速率为10nms-20nms；所述步骤（3）中晶圆的浸泡时间为20-40Min；所述步骤（6）中探针扫描式测量工具为台阶仪或原子力显微镜。
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权利要求：
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